[发明专利]多重图形亚分辨率辅助图形添加方法

说明书

本发明涉及多重图形亚分辨率辅助图形添加方法，相比于传统条状的SRAF，添加环状SRAF，SRAF更加连续，且部分第一掩模版环状SRAF和部分第二掩模环状SRAF宽度可以进一步扩大，能够大大增加第一掩模版目标层和第二掩模版目标层周围透光量，而增大第一掩模版目标层和第二掩模版目标层的光刻工艺窗口，进而实现更大幅度提高多重图形工艺窗口的目的。

技术领域

本发明涉及半导体集成电路制造技术，尤其涉及一种多重图形亚分辨率辅助图形添加方法。

背景技术

在半导体集成电路制造过程中，电路的图形结构首先定义在掩模板版图(Mask)上，之后通过光刻将掩模板版图上的图形结构即设计图形转移到形成于晶圆表面的光刻胶上并形成光刻胶图形。由于在光刻过程中，由于图形的尺寸和光刻的波长的尺寸接近甚至更小时，由于光的干涉、衍射和显影等原因会导致曝光在光刻胶上的图形和掩模板版图上的图形不一致，产生光学临近效应(Optical Proximity Effect，OPE)的失真。所以为了在光刻胶上形成需要的图形，需要对掩模板版图上的图形进行OPC修正，经过OPC修正后的掩模板版图上的图形尺寸虽然和要求的不一致，但是经过曝光转移到光刻胶上之后光刻胶上的图形和要求一致。

但是随着集成度的增加，图形尺寸越来越小、版图设计越来越复杂，多重图形化工艺也已经被广泛应用。OPC修正过程中会遇到越来越多的热点，热点为OPC修正后的光刻版版图上出现各种问题的点，由于热点图形都是有问题的图形，故需要对热点图形进行处理并在处理后能消除这些热点。

热点图形本身通常是符合设计规则的，但是工艺窗口即光刻工艺窗口较小，也即在光刻过程中，当光刻工艺如光强或聚集深度具有较小的波动时，热点图形就会出现问题并形成缺陷。在40nm以下的技术节点工艺中，广泛采用了亚分辨率辅助图形(SubResolution Assist Feature，SRAF)，SRAF设置在设计图形附近时能改变设计图形处的光强和聚集深度，但是SRAF本身不成像，而用于提高掩模板版图图形工艺窗口。亚分辨率辅助图形基于安全性、有效性的考虑，通常添加条状的SRAF，但其提高工艺窗口的幅度有限。

发明内容

本发明在于提供一种多重图形亚分辨率辅助图形添加方法，包括：S1：提供原始设计掩模板，将原始设计掩模板拆分为第一掩模板和第二掩模板，其中第一部分图形分布于第一掩模板形成第一掩模版图形，第二部分图形分布于第二掩模板形成第二掩模版图形；S2：根据光刻到刻蚀之间的差值，对第一掩模版图形进行扩大形成第一掩模版目标层，并对第二掩模版图形进行扩大形成第二掩模版目标层；S3：在第一掩模版目标层附近添加第一掩模版环状SRAF，在第二掩模版目标层附近添加第二掩模版环状SRAF，其中第一掩模版环状SRAF和第二掩模版环状SRAF的初始宽度均为a；以及S4：将第一掩模版环状SRAF位于第二掩模版图形和第二掩模版目标层中的部分的宽度扩大，并将第二掩模版环状SRAF位于第一掩模版图形和第一掩模版目标层中的部分的宽度扩大。

更进一步的，S2中扩大的值根据当前的光刻工艺和刻蚀工艺后形成的光刻到刻蚀之间的差值确定。

更进一步的，S3为分别环绕第一掩模版目标层和第二掩模版目标层而添加第一掩模版环状SRAF和第二掩模版环状SRAF。

更进一步的，第一掩模版环状SRAF与第一掩模版目标层的形状相同；第二掩模版环状SRAF与第二掩模版目标层的形状相同。

更进一步的，第一掩模版环状SRAF与第一掩模版目标层均为多边形；第二掩模版环状SRAF与第二掩模版目标层均为多边形。

更进一步的，S3中a大于等于0.25倍的当层最小关键尺寸并小于等于当层最小关键尺寸。