[发明专利]灯板及其制造方法、显示装置有效
申请号: | 202011265394.5 | 申请日: | 2020-11-13 |
公开(公告)号: | CN112420765B | 公开(公告)日: | 2023-01-24 |
发明(设计)人: | 刘俊领 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L27/12;H01L33/48;H01L33/62;H01L21/77;G09F9/33 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 李新干 |
地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 及其 制造 方法 显示装置 | ||
本申请提供一种灯板及其制造方法、显示装置,本申请采用第一半色调掩模板对第一绝缘层以及半导体层进行图案化,且采用第二半色调掩模板对第二导电层以及第三导电层进行图案化,以减少光罩使用数目,且第三导电构件形成于第二导电构件上能避免第二导电构件氧化,避免第二导电构件、第三导电构件以及第一导电构件电性连接失效的问题。
技术领域
本申请涉及显示技术领域,尤其涉及一种灯板及其制造方法、显示装置。
背景技术
微型化发光二极管发展成未来显示技术的热点之一,和目前的液晶显示器(Liquid Crystal Display,LCD)、有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode,OLED)显示器件相比,具有反应快、高色域、高分辨率、低能耗等优势。然而,微型发光二极管技术难点多且技术复杂,特别是其关键技术巨量转移技术发光二极管颗粒微型化成为技术瓶颈,而次毫米发光二极管(Mini-LED)作为微型化发光二极管与背板结合的产物,具有高对比度、高显色性能等可与有机发光二极管相媲美的特点,成本稍高液晶显示器,仅为有机发光二极管的六成左右,相对微型发光二极管(Micro-LED)、有机发光二极管更易实施,所以次毫米发光二极管成为各大面板厂商布局热点。
目前,如何减小次毫米发光二极管背光模组的光罩使用数目且保证次毫米发光二极管背光模组的可靠性是需要解决的问题。
发明内容
本申请的目的在于提供一种灯板及其制造方法、显示装置,以减小光罩使用数目且保证灯板的可靠性。
为实现上述目的,一种灯板的制造方法,所述方法包括如下步骤:
于基板上形成第一图案化导电层,所述第一图案化导电层包括设置于第一区域的栅极以及设置于第二区域的第一导电构件,所述基板具有相互间隔的所述第一区域、第二区域以及第三区域;
依次形成覆盖所述第一图案化导电层以及所述基板的第一绝缘层以及半导体层,采用第一半色调掩模板对所述第一绝缘层以及所述半导体层进行图案化,于所述第一绝缘层和所述半导体层上形成对应所述第一导电构件设置的过孔且形成图案化半导体层,所述图案化半导体层包括对应所述栅极设置的有源层;
于所述过孔中、所述第一绝缘层上以及所述图案化半导体层上形成第二导电层,于所述第二导电层上形成第三导电层,采用第二半色调掩模板对所述第二导电层以及所述第三导电层进行图案化,形成第二图案化导电层且于第二导电构件上形成第三导电构件,所述第二图案化导电层包括形成于所述第二区域的所述第二导电构件、形成于所述第一区域的源漏电极以及形成于所述第三区域的导电垫,所述第二导电构件通过所述过孔与第一导电构件电性连接,所述源漏电极设置于所述有源层上;
形成覆盖所述第一绝缘层、所述源漏电极、所述有源层且使所述第三导电构件以及所述导电垫显露的第二绝缘层;
将发光元件通过连接件绑定于所述导电垫上,得到所述灯板。
在上述灯板的制造方法中,所述第三导电构件的制备材料包括氧化铟锡,所述第二图案化导电层的制备材料包括铜,所述连接件的制备材料包括锡。
在上述灯板的制造方法中,所述采用第一半色调掩模板对所述第一绝缘层以及所述半导体层进行图案化包括如下步骤:
于所述半导体层上形成光阻层,利用第一半色调掩模板对所述光阻层进行曝光以定义出第一光阻去除区、第一光阻半保留区以及第一光阻完全保留区;所述第一光阻去除区对应所述第一导电构件,所述第一区域和所述第二区域之间的区域、所述第一区域和所述第三区域之间的区域对应所述第一光阻半保留区,所述第一区域、所述第二区域的部分区域以及所述第三区域对应所述第一光阻完全保留区;用显影液对曝光后的所述光阻层进行显影;
蚀刻去除所述第一光阻去除区的半导体层以及第一绝缘层,形成所述过孔;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的