[发明专利]基于FPGA和模拟开关的高密度电极切换接入方法及系统在审

专利信息
申请号: 202011265529.8 申请日: 2020-11-13
公开(公告)号: CN112363229A 公开(公告)日: 2021-02-12
发明(设计)人: 刘兰军;陈兆炜;陈家林;牛炯;张帆;左成 申请(专利权)人: 中国海洋大学
主分类号: G01V3/04 分类号: G01V3/04
代理公司: 北京汇捷知识产权代理事务所(普通合伙) 11531 代理人: 盛君梅
地址: 266100 山*** 国省代码: 山东;37
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摘要:
搜索关键词: 基于 fpga 模拟 开关 高密度 电极 切换 接入 方法 系统
【权利要求书】:

1.一种基于FPGA和模拟开关的高密度电极切换接入系统,其特征在于,所述基于FPGA和模拟开关的高密度电极切换接入系统设置有:四通道电阻率测量总线、模拟开关、现场可编程门阵列FPGA、A/D模数转换器、D/A模数转换器、可控恒流源、电流切换、ARM处理器、参数配置串口、数据传输串口、数据存储模块、日历时钟模块;

四通道电阻率测量总线包括信号通道N、信号通道P、电流通道A、电流通道B;

通过模拟开关实现电极切换接入四通道电阻率测量总线,模拟开关的导通与关断通过现场可编程门阵列FPGA的I/O端口控制;

信号通道N、信号通道P连接A/D模数转换器,实现电极间电压信号的模数转换;

电流通道A、电流通道B与D/A数模转换器控制的可控恒流源连接,实现电极间的交流供电;

ARM处理器通过FMSC总线与现场可编程门阵列FPGA连接,现场可编程门阵列FPGA通过IO控制与电流切换、模拟开关连接;

ARM处理器通过UART端口与参数配置串口、数据传输串口连接,ARM处理器通过I/O端口与A/D模数转换器、D/A数模转换器、数据存储模块、日历时钟模块连接。

2.如权利要求1所述的基于FPGA和模拟开关的高密度电极切换接入系统,其特征在于,所述A/D模数转换器采用24位模数转换器,所述D/A数模转换器采用16位数模转换器。

3.如权利要求1所述的基于FPGA和模拟开关高密度电极切换接入系统,其特征在于,所述D/A数模转换器连接可控恒流源,D/A数模转换器将ARM处理器给出的数字量控制信号先转换为0到4V的模拟量电压,再通过可控恒流源电路产生对应的0到200mA的测量电流;所述可控恒流源的输出通过电流切换连接到电流通道A、电流通道B,电流切换在现场可编程门阵列FPGA的控制下实现对电流通道A、电流通道B的交流供电;

所述的A/D模数转换器将信号通道N、信号通道P之间的模拟信号转换为数字量信号发给ARM处理器;

所述模拟开关在现场可编程门阵列FPGA的控制下,实现96个电极切换,每次选出四个电极与四通道电阻率测量总线连接。

4.如权利要求1所述的基于FPGA和模拟开关的高密度电极切换接入系统,其特征在于,所述模拟开关内置有独立的CMOS管作为单刀单掷的模拟开关,逻辑高电平时导通,每个模拟开关在正常工作温度内导通电阻小于0.8Ω,切换时间为25ns,适用于1.8V、2.7V和3.6V的逻辑电压;使用96个模拟开关连接96个电极。

5.如权利要求1所述的基于FPGA和模拟开关的高密度电极切换接入系统,其特征在于,参数配置串口和数据传输串口为UART串口;日历时钟模块为带有待机电源的RTC电路;数据存储模块采用SD卡,负责储存数据与工作日志。

6.一种基于权利要求1所述基于FPGA和模拟开关的高密度电极切换接入系统的基于FPGA和模拟开关的高密度电极切换接入方法,其特征在于,所述基于FPGA和模拟开关的高密度电极切换接入方法包括以下步骤:

第一步,ARM处理器通过FSMC总线向现场可编程门阵列FPGA发出电极切换接入命令,现场可编程门阵列FPGA通过I/O控制模拟开关的导通和关断以实现电极切换接入;

第二步,ARM处理器给出测量电流信号的数字量给D/A数模转换器,D/A数模转换器转换成相应的电压信号,电压信号经过可控恒流源转换成直流电流信号,直流电流信号通过电流切换变换成交流电流信号接入电流通道A和电流通道B上的电极;

第三步,连接信号通道N和信号通道P的A/D模数转换器将信号通道上的电极间的电压信号转换成数字量发送给ARM处理器,ARM处理器计算获得信号通道上的电极间的电阻率。

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