[发明专利]一种贵金属线栅电场探测装置在审
| 申请号： | 202011265677.X | 申请日： | 2020-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN112230073A | 公开（公告）日： | 2021-01-15 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 彭彦莉 |
| 主分类号： | G01R29/12 | 分类号： | G01R29/12 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 726206 陕西省商洛*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 贵金属 电场 探测 装置 | ||
1.一种贵金属线栅电场探测装置，其特征在于，包括基底层、加热层、贵金属线栅层，所述加热层置于所述基底层上，所述贵金属线栅层置于所述加热层上，所述贵金属线栅层包括贵金属纳米线和有机共轭聚合物材料，所述贵金属纳米线周期性排列，相邻所述贵金属纳米线之间设有间隙，所述有机共轭聚合物材料填充所述间隙。
2.如权利要求1所述的贵金属线栅电场探测装置，其特征在于：所述有机共轭聚合物材料为聚3-己基噻吩。
3.如权利要求2所述的贵金属线栅电场探测装置，其特征在于：还包括顶有机共轭聚合物材料层，所述顶有机共轭聚合物材料层置于所述贵金属线栅层上。
4.如权利要求3所述的贵金属线栅电场探测装置，其特征在于：所述顶有机共轭聚合物材料层的厚度小于200纳米。
5.如权利要求4所述的贵金属线栅电场探测装置，其特征在于：还包括底有机共轭聚合物材料层，所述底有机共轭聚合物材料层置于所述加热层上，所述贵金属线栅层置于所述底有机共轭聚合物材料层上。
6.如权利要求5所述的贵金属线栅电场探测装置，其特征在于：所述底有机共轭聚合物材料层的厚度小于200纳米。
7.如权利要求1-6任一项所述的贵金属线栅电场探测装置，其特征在于：所述贵金属纳米线的材料为金或银。
8.如权利要求7所述的贵金属线栅电场探测装置，其特征在于：所述贵金属纳米线的截面为矩形。
9.如权利要求8所述的贵金属线栅电场探测装置，其特征在于：相邻所述贵金属纳米线之间的距离小于80纳米。
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