[发明专利]操作具有动态可变属性的存储器的系统和方法

说明书

本申请涉及一种操作具有动态可变属性的存储器的系统和方法。可以定义一个特征，以允许将数据属性动态地分配给存储装置中的数据。例如，引入了称为“数据组”的特征。数据组定义为一系列本地块地址的分组。存储装置可以分为多个数据组。每个数据组可以有自己的数据属性配置，可以有指定的位数。定义了一个新命令，以允许主机动态地分配存储装置的数据组的属性。例如，所述命令可以通过将所述命令中的字节映射表从所述主机发送到所述存储装置来动态地分配数据组属性。

技术领域

本公开的实施例总体上涉及存储器系统，并且更具体地，涉及存储器系统中数据属性的管理。

背景技术

通常提供存储器装置作为计算机或其它电子装置中的内部半导体集成电路。存在许多不同类型的存储器，包含易失性存储器和非易失性存储器。易失性存储器需要电力来维护其数据，并且尤其包含随机存取存储器(RAM)、动态随机存取存储器(DRAM)或同步动态随机存取存储器(SDRAM)。非易失性存储器可以在不通电时保留存储的数据，并且包含闪存、只读存储器(ROM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)、可擦除可编程ROM(EPROM)、电阻可变存储器，例如相变随机存取存储器(PCRAM)、电阻随机存取存储器(RRAM)、磁阻随机存取存储器(MRAM)或3D XPoint^TM存储器等。

闪存用作广泛的电子应用的非易失性存储器。闪存装置通常包含一或多组单晶体管、浮栅或电荷陷阱存储单元，其允许高存储密度、高可靠性和低功耗。两种常见类型的闪存阵列架构包含NAND架构和NOR架构，它们以逻辑形式命名，每种架构的基本存储器单元以逻辑形式布置的。存储器阵列的存储器单元通常布置成矩阵。在实例中，阵列的行中的每个浮置栅极存储器单元的栅极耦合到存取线(例如，字线)。在NOR架构中，阵列的列中的每个存储器单元的漏极耦合到数据线(例如，位线)。在NAND架构中，阵列的串中的每个存储器单元的漏极在源极线与位线之间以源极到漏极的方式串联耦合在一起。

发明内容

在一个方面，本公开涉及一种数据存储系统，所述系统包括：一或多个存储器装置，所述一或多个存储器装置包含多个数据组，其中，一个数据组是一系列本地块地址的分组；以及处理器，所述处理器配置为执行存储在系统中的一或多个组件上的指令，当处理器执行指令时，使得系统执行操作，所述操作包括：对对应于多个数据组中的一或多个数据组的接收的命令进行解码，所述接收的命令标识数据组的至少一个属性；以及响应于解码，在系统中执行关于一或多个数据组的功能。

在另一方面，本公开涉及一种向数据存储系统动态地更新数据信息的方法，所述方法包括：使用数据存储系统中的处理器对对应于多个数据组中的一或多个数据组的接收的命令进行解码，所述多个数据组包含在数据存储系统的一或多个存储器装置中，接收的命令包含至少一个数据组的至少一个属性的标识符；以及响应于解码，在系统中执行关于一或多个数据组的功能。

在又一方面，本公开涉及一种与数据存储装置介接的系统，所述系统包括：处理器，所述处理器配置为执行存储在系统中的一或多个组件上的指令，当处理器执行指令时，使得系统执行操作，所述操作包括：将属性分配给多个数据组中的一或多个数据组，所述多个数据组包含在数据存储装置的一或多个存储器装置中，一个数据组是一系列本地块地址的分组；将分配的属性编码成命令；以及将命令传送到数据存储装置。

附图说明

附图不一定按比例绘制，通常通过举例以非限制方式示出本文件中所讨论的各种实施例。

图1示出了根据各种实施例的包含存储器装置的环境的实例。

图2和3示出了根据各种实施例的三维NAND架构半导体存储器阵列的实例的示意图。

图4示出了根据各种实施例的存储器模块的实例框图。

图5是示出根据各种实施例的机器的实例的框图，在该机器上可以实施一或多个实施例。