[发明专利]一种宽带增透膜及其制备方法有效
| 申请号： | 202011266720.4 | 申请日： | 2020-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN112376021B | 公开（公告）日： | 2023-03-31 |
| 发明（设计）人： | 原清海;林兆文;谢雨江;王奔 | 申请（专利权）人： | 上海米蜂激光科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/30 | 分类号： | C23C14/30;C23C14/06;C23C14/18;G02B1/116 |
| 代理公司： | 北京清大紫荆知识产权代理有限公司 11718 | 代理人： | 李思琼;冯振华 |
| 地址： | 200136 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 宽带 增透膜 及其 制备 方法 | ||
1.一种宽带增透膜，其特征在于，包括基底层，所述基底层由从内向外依次设置的第一层Cu膜层和第二层MgF2膜层组成；
所述第一层Cu膜层、第二层MgF2膜层的物理厚度依次为2.0 -3.5nm、70.0 -80.0nm；
所述基底层为K9玻璃或BK7玻璃；
该宽带增透膜的制备方法，包括如下步骤：
S1、在真空室中对玻璃基板加热至120℃，恒温50分钟；
S2、在真空度4.0×10-4Pa以下对基底层进行清洗；
S3、以电子束加热蒸发膜料Cu，电子枪束流50-150mA，控制蒸发速率在0.1±0.02nm/s；
S4、以电子束加热蒸发膜料MgF2，电子枪束流50mA，控制蒸发速率在0.5±0.02nm/s。
2.根据权利要求1所述的宽带增透膜，其特征在于，所述第一层Cu膜层、第二层MgF2膜层的物理厚度依次为2.0nm、74.0nm。
3.根据权利要求1所述的宽带增透膜，其特征在于，所述第一层Cu膜层在增透带宽范围内的折射率小于1.3。
4.根据权利要求1所述的宽带增透膜，其特征在于，S2中，采用考夫曼离子源清洁基底层，其中，离子源的参数如下：离子束流100mA，阳极电压70V，屏极电压300V，加速电压200V，中和器电流15A，充Ar气13Sccm，清洗时长600s。
5.根据权利要求1所述的宽带增透膜，其特征在于，S3中，先将真空室抽真空5-8min以排除杂气，再以电子束加热蒸发膜料Cu。
6.根据权利要求1所述的宽带增透膜，其特征在于，S4中，在MgF2膜层镀制完成后，继续对真空室抽真空，关闭加热器，待光学元件在真空室内降温至60℃时，对真空室充气，再将镀膜后的光学元件取出。
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