[发明专利]显示设备在审
申请号: | 202011266725.7 | 申请日: | 2020-11-13 |
公开(公告)号: | CN112802868A | 公开(公告)日: | 2021-05-14 |
发明(设计)人: | 朴常镐;金性勳;金振永;金珍泽;梁泰勳;李星珍 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L27/32 |
代理公司: | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人: | 王达佐;刘铮 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 设备 | ||
1.显示设备,包括:
基板,具有发光区域和非发光区域;
第一电极和第二电极,在所述发光区域中在所述基板上彼此隔开;
第一绝缘层,在所述发光区域和所述非发光区域中位于所述基板上,并且覆盖所述第一电极和所述第二电极中的每个的至少一部分;
发光元件,位于所述第一电极与所述第二电极之间;
第一接触电极和第二接触电极,所述第一接触电极位于所述第一电极上并且与所述发光元件的一个端部部分接触,所述第二接触电极位于所述第二电极上并且与所述发光元件的另一端部部分接触;以及
第一有源材料层、栅极绝缘层、栅电极和一个电极,所述第一有源材料层在所述非发光区域中位于所述第一绝缘层上并且电连接到所述第一接触电极,所述栅极绝缘层位于所述第一有源材料层上,所述栅电极位于所述栅极绝缘层上并且与所述第一有源材料层重叠,所述一个电极与所述第一有源材料层的至少一侧接触,
其中,所述第一接触电极和所述第二接触电极位于与所述第一有源材料层相同的层处。
2.根据权利要求1所述的显示设备,其中,所述第一有源材料层、所述第一接触电极和所述第二接触电极包括氧化物半导体。
3.根据权利要求2所述的显示设备,其中,所述第一有源材料层包括第一导电区域、第二导电区域和沟道区域,所述沟道区域位于所述第一导电区域与所述第二导电区域之间,以及
其中,所述第一接触电极和所述第二接触电极包括与所述第一导电区域相同的材料。
4.根据权利要求3所述的显示设备,其中,所述发光元件在厚度方向上至少不与所述第一有源材料层重叠。
5.根据权利要求1所述的显示设备,还包括第二绝缘层,所述第二绝缘层在所述发光区域和所述非发光区域中位于所述第一接触电极、所述第二接触电极和所述第一有源材料层上。
6.根据权利要求5所述的显示设备,其中,所述第一接触电极和所述第二接触电极中的每个的至少一部分位于所述第一绝缘层上。
7.根据权利要求6所述的显示设备,其中,所述第二绝缘层覆盖所述第一有源材料层的至少一部分和所述栅电极。
8.根据权利要求7所述的显示设备,其中,所述一个电极位于所述第二绝缘层上并且与所述第一接触电极接触。
9.根据权利要求5所述的显示设备,还包括第三绝缘层,所述第三绝缘层位于所述发光元件上并且暴露所述发光元件的两个端部部分。
10.根据权利要求9所述的显示设备,其中,所述第一接触电极和所述第二接触电极与所述第三绝缘层接触。
11.根据权利要求5所述的显示设备,还包括滤色器层,所述滤色器层位于所述第二绝缘层上并且与所述发光元件重叠。
12.根据权利要求5所述的显示设备,还包括反射层,所述反射层位于所述第二绝缘层上并且与所述第二电极重叠。
13.根据权利要求1所述的显示设备,还包括遮光层,所述遮光层在所述非发光区域中位于所述第一绝缘层与所述基板之间并且位于所述第一有源材料层下方。
14.根据权利要求13所述的显示设备,还包括第一堤和第二堤,所述第一堤位于所述第一电极与所述基板之间,所述第二堤位于所述第二电极与所述基板之间。
15.根据权利要求13所述的显示设备,其中,所述第一电极、所述第二电极和所述遮光层包括位于所述基板上的第一金属层和位于所述第一金属层上的第二金属层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的