[发明专利]用于电致发光装置的主体材料

权利要求书

1.一种具有发射光谱的有机发光装置OLED，所述OLED包含：

阳极；

阴极；和

安置于所述阳极与所述阴极之间的有机发射层，所述有机发射层包含：

具有最高占用分子轨道HOMO能量和最低未占用分子轨道LUMO能量的第一主体材料；和

具有HOMO能量和LUMO能量的发射体材料；

其中，

所述有机发射层中的所有材料混合在一起；

所述发射体选自由以下组成的群组：磷光金属络合物和延迟荧光发射体；

高HOMO能量是所述有机发射层中的所有材料中的最高HOMO能量；

低LUMO能量是所述有机发射层中的所有材料中的最低LUMO能量；

a≤E_T-ΔE≤b，其中E_T为所述发射体的三重态能量T₁，其为所述有机发射层中的所有材料中的最低T₁能量，ΔE为所述高HOMO能量与所述低LUMO能量之间的能隙，a为0.00直至0.15eV，且b为0.05直至0.45eV；

其中所述OLED的所述发射光谱与有机发射层由第一发射体和惰性主体组成的OLED的发射光谱至少95％类似；

其中所述阳极、所述阴极或安置于所述有机发射层上的新层中的至少一个充当增强层；

其中所述增强层包含展现表面等离子共振的等离子材料，所述等离子材料非辐射耦合至所述发射体材料且将激发态能量从所述发射体材料转移至表面等离子极化激元的非辐射模式；

其中所述增强层以不超过与所述有机发射层相距的阈值距离提供；且

其中由于所述增强层的存在，所述发射体材料具有总非辐射衰减速率常数和总辐射衰减速率常数，且所述阈值距离为所述总非辐射衰减速率常数等于所述总辐射衰减速率常数之处。

2.根据权利要求1所述的OLED，其中所述OLED进一步包含出耦层。

3.根据权利要求2所述的OLED，其中所述出耦层安置于所述增强层上方，在与所述有机发射层相对的所述增强层的一侧上，或安置于所述发射层的与所述增强层相对的侧上，但仍使能量从所述增强层的表面等离子模式出耦。

4.根据权利要求2所述的OLED，其中所述出耦层将所述能量以光子形式从所述表面等离子极化激元散射至自由空间。

5.根据权利要求1所述的OLED，其中所述阳极、所述阴极或所述阳极和阴极两者充当所述增强层。

6.根据权利要求1所述的OLED，其中所述增强层包含选自由以下组成的群组的材料：Ag、Al、Au、Ir、Pt、Ni、Cu、W、Ta、Fe、Cr、Mg、Ga、Rh、Ti、Ru、Pd、In、Bi、Ca，其合金或变体的混合物，和其变体的堆叠。

7.根据权利要求1所述的OLED，其中所述出耦层包含纳米粒子。

8.根据权利要求1所述的OLED，其中所述发射体为磷光金属络合物。

9.根据权利要求1所述的OLED，其中所述发射体为延迟荧光发射体。

10.根据权利要求1所述的OLED，其中E_T为至少2.60eV。

11.根据权利要求1所述的OLED，其中所述高HOMO能量为所述发射体的HOMO能量，且所述低LUMO能量为所述第一主体的LUMO能量。

12.根据权利要求1所述的OLED，其中所述高HOMO能量为所述第一主体的HOMO能量，且所述低LUMO能量为所述发射体的LUMO能量。

13.根据权利要求1所述的OLED，其中所述OLED进一步包含第二主体，其中所述高HOMO能量为所述第一主体的HOMO能量，且所述低LUMO能量为所述第二主体的LUMO能量。