[发明专利]半导体器件及形成用于预成型基底的脱模结构的方法

说明书

一种半导体器件，具有基底面板，该基底面板具有基底，该基底具有第一基底区域和在第一基底区域的覆盖区之外的第二基底区域。多个半导体管芯或离散IPD被设置在第一基底区域上方。基底区域102a具有用于半导体管芯的电互连线。使用传递模塑工艺将模塑料设置在半导体管芯和第一基底区域上方，这留下了模具剔除件和设置在第二基底区域上方的模具浇口。在模具浇口下方的第二基底区域中形成基底边缘。该基底边缘延伸到模塑料下方的第一基底区域中，以加固模具浇口并减少脱模期间的破裂。基底边缘可具有多种形式，例如平行杠、斜杠、正交杠及其组合。

要求国内优先权

本申请要求于2019年11月15日提交的美国临时申请No.62/936,027的权益，该申请通过引用并入本文。

技术领域

本发明总体上涉及半导体器件，并且更具体地，涉及一种半导体器件以及形成用于预成型基底的脱模结构的方法。

背景技术

半导体器件普遍存在于现代电子产品中。半导体器件执行各种功能，例如信号处理、高速计算、发送和接收电磁信号、控制电子器件、光电以及为电视显示器创建可视图像。半导体器件存在于通信、电力转换、网络、计算机、娱乐和消费产品领域。半导体器件还存在于军事应用、航空、汽车、工业控制器和办公设备中。

半导体管芯和/或离散集成无源器件(IPD)可被集成到半导体封装中。图1示出了具有基底52和半导体管芯或无源IPD 56的常规半导体基底面板50，其中基底52包含垂直导电互连线54，半导体管芯或无源IPD 56利用凸块58安装到导电互连线。半导体管芯或离散IPD 56被安装到基底52上用于结构支撑和电互连。使用传递模塑工艺将密封剂或模塑料(mold compound)60沉积在半导体管芯、离散IPD和基底上。半导体基底面板50被放置在模腔中。将预定量的模塑料放入传递罐中，加热，然后将其压入模腔中，以覆盖半导体管芯或离散IPD 56和基底52。在模传递之后仍保留模具浇口62。模具浇口62由基底边缘68支撑，该基底边缘68完全被设置在半导体管芯56上的密封剂60的覆盖区之外。基底边缘68由具有实心轨边缘70和圆形螺柱图案72的铜(Cu)制成。

已知半导体基底面板50在脱模期间(即，当移除模具浇口62时)在位置80附近破裂或折断。模塑料60具有高粘性并且在脱模期间可以从围绕半导体基底面板50的周围的电互连线54折断一些金属，这会导致缺陷并降低成品率。一种已知的破裂途径是至少围绕半导体基底面板50的周围对电互连线54镀金。但是，镀金增加了制造成本。

发明内容

一种半导体器件，包括：

基底面板，所述基底面板包括基底以及多个半导体管芯，所述基底包括第一基底区域以及在所述第一基底区域的覆盖区之外的第二基底区域，所述多个半导体管芯设置在所述第一基底区域上方；

模塑料，所述模塑料设置在所述半导体管芯和所述第一基底区域上方；以及

基底边缘，所述基底边缘形成在所述第二基底区域中，其中所述基底边缘延伸到在所述模塑料下方的所述第一基底区域中。

一种半导体器件，包括：

基底面板，所述基底面板包括基底以及多个半导体管芯，所述基底包括第一基底区域和第二基底区域，所述多个半导体管芯设置在所述第一基底区域上方；

模塑料，所述模塑料设置在所述半导体管芯和所述第一基底区域上方；以及

基底边缘，所述基底边缘形成在所述第二基底区域中并延伸到所述第一基底区域中。

一种制造半导体器件的方法，包括：

提供基底面板，所述基底面板包括基底以及多个半导体管芯，所述基底包括第一基底区域和第二基底区域，所述多个半导体管芯设置在所述第一基底区域上方；

在所述半导体管芯和所述第一基底区域上方沉积模塑料；以及