[发明专利]无源相移期间的阻抗变化最小化在审

专利信息
申请号: 202011268863.9 申请日: 2020-11-13
公开(公告)号: CN112803962A 公开(公告)日: 2021-05-14
发明(设计)人: 摩尔特萨·阿巴西;T·卡纳尔;N·K·彦杜鲁 申请(专利权)人: 瑞萨电子美国有限公司
主分类号: H04B1/40 分类号: H04B1/40
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 李辉
地址: 美国加利*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 无源 相移 期间 阻抗 变化 最小化
【权利要求书】:

1.一种装置,包括:

多个收发器电路,每个收发器电路包括一个或多个相移器电路,所述相移器电路被配置为通过响应于控制信号而切换电容值和电感值中的至少一项来进行相位改变,其中每个相移器电路的特性阻抗和相位被相关,使得在所述相位改变之后,所述特性阻抗的值被维持在预定值处。

2.根据权利要求1所述的装置,其中所述相移器电路将端口阻抗和插入损失中的改变最小化。

3.根据权利要求1所述的装置,其中所述相移器电路是双向的。

4.根据权利要求1所述的装置,其中所述相移器电路具有紧凑的占板面积。

5.根据权利要求1所述的装置,其中所述相移器电路的电路元件的值被选择,以在不影响输入端口阻抗和输出端口阻抗、以及不影响传输信号上的振幅变化的情况下,执行准确的相移。

6.根据权利要求1所述的装置,其中所述相移器电路可扩展来提供以下一项或多项的预定量:相移、群延迟移位、阻抗电平、中心频率、带宽、相位状态和相位分辨率。

7.根据权利要求1所述的装置,其中所述相移器电路按照以下至少一项来实现:单端格式和差分格式。

8.根据权利要求1所述的装置,其中所述相移器电路使用以下至少一项来实现:互补金属氧化物半导体(CMOS)技术、场效应晶体管(FET)技术和高电子迁移率晶体管(HEMT)技术。

9.根据权利要求1所述的装置,其中所述相移器电路被实现为包括电感器、以及两个或更多个并联电容器,所述并联电容器被配置为提供多个相位/延迟移位。

10.根据权利要求9所述的装置,其中当所述电容器相对于所述相移器电路的输入端口和输出端口串联时,所述电感器以分路被放置。

11.根据权利要求1所述的装置,其中所述相移器电路被实现为包括多个部,每个部包括至少一个电感器和至少一个电容器。

12.根据权利要求1所述的装置,其中所述相移器电路包括变压器。

13.一种将无源相移期间的阻抗变化最小化的方法,所述方法包括以下步骤:

选择第一相位值(θ1),并且使用电感-电容乘积值、所述相位值和频率之间的预定关系,计算所述电感-电容乘积值(LCA);

将第一阻抗值(Z01)选择为等于预定特性阻抗(Z0),并且使用所述电感-电容比率值、所述相位值和所述频率之间的预定关系来计算所述电感-电容比率值;

使用所述电感-电容乘积值、以及所述电感-电容比率值来确定电感值和第一电容值;

通过将预定相位改变添加到所述第一相位值,确定第二相位值;以及

使用所述电感值以及所述电感-电容乘积值、所述相位值和所述频率之间的所述预定关系,计算与所述第二相位值相对应的第二电容值。

14.根据权利要求13所述的方法,还包括:

使用所述电感-电容比率值、所述相位值与所述频率之间的所述预定关系,确定与所述第二电容值对应的第二阻抗值;以及

确定新的第一相位值,以将所述第一阻抗值与所述第二阻抗值之间的差异最小化。

15.根据权利要求13所述的方法,其中所述电容值被计算,以考虑开关的寄生电容和导通电阻,所述开关被配置为在所述第一电容值与所述第二电容值之间切换所述无源相移器。

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