[发明专利]光学测定装置的线性校正方法、光学测定方法以及光学测定装置在审

专利信息
申请号: 202011271709.7 申请日: 2020-11-13
公开(公告)号: CN112798105A 公开(公告)日: 2021-05-14
发明(设计)人: 中岛一八;野口宗裕 申请(专利权)人: 大塚电子株式会社
主分类号: G01J3/28 分类号: G01J3/28
代理公司: 北京品源专利代理有限公司 11332 代理人: 吕琳;朴秀玉
地址: 日本大阪*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 光学 测定 装置 线性 校正 方法 以及
【权利要求书】:

1.一种线性校正方法,是具备CMOS线性图像传感器的光学测定装置的线性校正方法,其特征在于,

所述线性校正方法包括:

曝光步骤,使曝光时间变化而使强度恒定的基准光依次入射所述CMOS线性图像传感器的注目受光元件;

测定值获取步骤,依次获取所述注目受光元件的测定值;

实际线性误差计算步骤,依次计算表示基于与所述测定值对应的所述曝光时间得到的线性值与该测定值之差的实际线性误差;以及

拟合步骤,对所述各实际线性误差执行表示第一线性误差的第一函数的拟合。

2.根据权利要求1所述的线性校正方法,其中,

所述线性校正方法中的所述第一函数是二次函数,所述线性校正方法是CMOS线性图像传感器的线性校正方法。

3.根据权利要求1或2所述的线性校正方法,其特征在于,

所述拟合步骤通过使用了表示所述各实际线性误差与所述第一线性误差之差的总量的目标函数的最小二乘法,决定所述第一函数的可变参数,

所述目标函数包括表示所述第一线性误差与所述各测定值所对应的所述实际线性误差之差的项,这些项通过表示所述各测定值的偏差的偏差量进行加权。

4.根据权利要求3所述的线性校正方法,其特征在于,

还包括曝光时间校正步骤,对由所述第一函数校正后的所述测定值实施曝光时间校正。

5.根据权利要求4所述的线性校正方法,其特征在于,

所述曝光时间校正步骤通过将曝光时间越长则越接近规定值的第二函数应用于由所述第一函数校正后的所述测定值,实施所述曝光时间校正。

6.根据权利要求5所述的线性校正方法,其特征在于,

所述第二函数是分数函数。

7.根据权利要求1、2、4~6中的任意一项所述的线性校正方法,其特征在于,

所述测定值基于所述基准光入射的情况下的所述注目受光元件的第一输出值与所述基准光未入射的情况下的所述注目受光元件的第二输出值之差获取。

8.根据权利要求7所述的线性校正方法,其特征在于,

所述线性校正方法是CMOS线性图像传感器的线性校正方法,

所述拟合步骤利用基于规定的阈值以上的所述第一输出值获取的所述测定值来执行所述拟合。

9.根据权利要求1、2、4~6、8中的任意一项所述的线性校正方法,其特征在于,

所述CMOS线性图像传感器包括在所述基准光入射所述注目受光元件的时间内光不入射的非注目受光元件,

所述线性校正方法还包括:

基本校正值计算步骤,计算使所述基准光入射所述注目受光元件的时间内的所述非注目受光元件的测定值接近零的基本校正值,

所述测定值获取步骤依次获取由所述基本校正值校正后的所述测定值。

10.一种光学测定方法,使用权利要求1~9中的任意一项所述的线性校正方法,其中,

在测定光入射所述注目受光元件的情况下,基于所述第一函数校正所述注目受光元件的测定值。

11.根据权利要求10所述的光学测定方法,其中,

存在多个所述注目受光元件,

在测定光入射所述各注目受光元件情况下,基于代表针对所述多个注目受光元件分别得到的所述第一函数的一个函数,校正该注目受光元件的测定值。

12.一种光学测定装置,其特征在于,包括:

存储单元,存储与由权利要求1~9中的任意一项所述的线性校正方法得到的所述第一函数对应的校正参数;以及

校正单元,在测定光入射所述注目受光元件情况下,使用所述校正参数校正所述注目受光元件的测定值。

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