[发明专利]一种铸造单晶硅异质结太阳电池制备方法

说明书

本发明为提供一种铸造单晶硅异质结太阳电池制备方法。包括以下步骤：S1、利用酸性溶液去除表面的油污、金属颗粒以及其他杂质；S2、将清洗后的硅片通过物理气相沉积技术沉积铝膜；S3、在沉积铝膜后的硅片表面沉积一层PSG，并进行一系列退火处理；S4、将处理后的硅片用溶剂去除表面反应层和杂质；再将处理过的硅片进行表面制绒；S5、将处理后的硅片进行非晶硅镀膜；S6、在非晶硅薄膜层的正反面分别生成透明导电膜层；S7、在硅片两面的透明导电膜层上形成栅线电极，从而完成异质结电池片的制作流程。本发明所述工艺加工的铸造单晶按常规异质结流程的少子寿命，电性能中转换效率、开路电压、短路电流及填充因子均有较大程度的提升。

技术领域

本发明涉及太阳能电池领域，特别是一种铸造单晶硅异质结太阳电池制备方法。

背景技术

太阳能作为新兴能源，已成为21世纪大力发展的产业。太阳电池的研发与制作，主要围绕着降本增效方向展开，提高太阳电池的转换效率是发展太阳能事业的根本，降低太阳电池的制作成本是壮大太阳能事业的基础，是满足大规模生产的先决条件。

硅片是生产硅基太阳电池片所用的载体，一般分为单晶硅片、铸造单晶硅硅片和多晶硅片。采用低成本的硅片材料是降低太阳电池制造成本的有效方式之一。在高效异质结太阳电池制作中，采用铸造单晶太阳能硅片来取代传统单晶硅片，有利降低生产成本，提高企业竞争力。铸造单晶是近年来新开发的定向铸造技术，其利用置于坩埚底部的仔晶进行定向生长，铸造出类似于单晶的硅锭。相对于传统的单晶硅片，铸造单晶硅具有制造成本低，铸锭硅片尺寸灵活，电阻率分布窄，氧含量低等优势。

现有的铸造单晶硅异质结太阳电池制备方法和传统的异质结太阳电池制备流程相似，无法改善铸造单晶硅中存在着大量的缺陷和金属杂质，最终影响其电池转换效率。

具体的说，铸锭单晶（cast mono crystalline silicon）， 由于铸造工艺的特点，在同一硅片表面上既存在单晶区域也存在多晶区域，因此硅片内部一般存在着位错、小角度晶界、缺陷密度大等缺点，这给太阳电池的钝化带来了一定的难度，按照常规异质结太阳电池的制备方法，即使施加了高质量的表面清洁和表面钝化，总体少子寿命依旧不高，以致影响最终电池的转换效率。

发明内容

本发明的目的在于：提供一种铸造单晶硅异质结太阳电池制备方法。

本发明通过如下技术方案实现：

一种铸造单晶硅异质结太阳电池制备方法，其特征在于：包括以下步骤：

S1、利用酸性溶液去除表面的油污、金属颗粒以及其他杂质；

S2、将清洗后的硅片通过物理气相沉积技术沉积铝膜；

S3、在沉积铝膜后的硅片表面沉积一层PSG，并进行一系列退火处理；

S4、将处理后的硅片用溶剂去除表面反应层和吸附的杂质；之后将处理过的硅片进行表面制绒以降低表面光反射；

S5、将处理后的硅片正反面进行非晶硅或微晶硅镀膜；

S6、在非晶硅或微晶硅薄膜层的正反面分别生成透明导电膜层；

S7、在硅片两面的透明导电膜层上形成栅线电极，从而完成异质结电池片的制作流程。

其中，