[发明专利]离子注入薄膜晶圆剥离方法、单晶薄膜及电子元器件

权利要求书

1.一种离子注入薄膜晶圆剥离方法，其特征在于，包括：

准备衬底晶圆；

准备离子注入后的薄膜晶圆，其中离子注入后的薄膜晶圆为具有薄膜层、分离层和余质层的薄膜晶圆；

将所述薄膜晶圆的薄膜层与所述衬底晶圆键合，形成键合体；

对键合体采用逐步加热的方式，实现薄膜层与余质层的逐步分离。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，对键合体采用逐步加热的方式，实现薄膜层与余质层的逐步分离，包括：

加热键合体中的起始区域；

在所述起始区域被加热至余质层与薄膜层分离后，将所述键合体中的未加热区域逐一加热至余质层与薄膜层分离。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，加热键合体中的起始区域包括：利用加热装置加热键合体中的起始区域。

4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，将所述键合体中的未加热区域逐一加热至余质层与薄膜层分离，包括：控制加热装置与键合体相对运动，将所述键合体中的未加热区域逐一加热至余质层与薄膜层分离。

5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，将所述键合体中的未加热区域逐一加热至余质层与薄膜层分离，包括：

单向移动所述加热装置，将所述键合体中的未加热区域逐一加热至余质层与薄膜层分离；

或者，单向移动所述键合体，将所述键合体中的未加热区域逐一加热至余质层与薄膜层分离。

6.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，将所述键合体中的未加热区域逐一加热至余质层与薄膜层分离，包括：

所述加热装置为2个，将两个加热装置向相反方向移动，由键合体中心向键合体边缘移动，将所述键合体中的未加热区域逐一加热至余质层与薄膜层分离；其中，在所述起始区域时，两个加热装置放置在键合体的中心；

或者，所述加热装置为2个，将两个加热装置向相反方向移动，由键合体边缘向键合体中心移动，将所述键合体中的未加热区域逐一加热至余质层与薄膜层分离；其中，在所述起始区域时，两个加热装置分别放置在键合体两边边缘。

7.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，将所述键合体中的未加热区域逐一加热至余质层与薄膜层分离，包括：

加热装置以垂直于键合体中心的轴旋转，将所述键合体中的未加热区域逐一加热至余质层与薄膜层分离。

8.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，将所述键合体中的未加热区域逐一加热至余质层与薄膜层分离，包括：

将所述加热装置以S型移动，将所述键合体中的未加热区域逐一加热至余质层与薄膜层分离。

9.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，将所述键合体中的未加热区域逐一加热至余质层与薄膜层分离，包括：

以加热装置中心为固定点旋转，加热装置末端将所述键合体中的未加热区域逐一加热至余质层与薄膜层分离，其中，在所述起始区域时，所述加热装置的中心与键合体中心重合放置，所述加热装置的长度大于或等于所述键合体的直径。

10.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，将所述键合体中的未加热区域逐一加热至余质层与薄膜层分离，包括：

所述加热装置由键合体边缘以圆环的方式向键合体中心移动，将所述键合体中的未加热区域逐一加热至余质层与薄膜层分离，其中，在所述起始区域时，所述加热装置放置在键合体边缘；

或者，所述加热装置由键合体中心以圆环的方式向键合体边缘移动，将所述键合体中的未加热区域逐一加热至余质层与薄膜层分离，其中，在所述起始区域时，所述加热装置放置在键合体中心。