[发明专利]半导体装置及半导体系统

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：结晶性氧化物半导体层；和与所述结晶性氧化物半导体层电连接的至少一个电极，在所述结晶性氧化物半导体层的第一面具有至少一个沟槽，所述沟槽包括底面、侧面及所述底面与所述侧面之间的至少一个圆弧部，所述圆弧部的曲率半径在100nm～500nm的范围内，所述侧面和所述结晶性氧化物半导体层的第一面所成的角度为90°以上。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述侧面和所述结晶性氧化物半导体层的第一面所成的角度为150°以下。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，

所述沟槽的宽度朝向所述沟槽的底面变窄。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置，其中，

所述沟槽的侧面有倾斜。

5.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，

所述侧面和所述结晶性氧化物半导体层的第一面所成的角度在大于90°且135°以下的范围内。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的半导体装置，其中，

所述结晶性氧化物半导体层至少包含镓。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的半导体装置，其中，

所述结晶性氧化物半导体层具有刚玉结构。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的半导体装置，其中，

所述结晶性氧化物半导体层包括两个以上的所述沟槽。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的半导体装置，其中，

所述沟槽的宽度为2μm以下。

10.根据权利要求9所述的半导体装置，其中，

所述结晶性氧化物半导体层包括四个以上的所述沟槽。

11.根据权利要求1至10中任一项所述的半导体装置，其中，

所述半导体装置为功率器件。

12.根据权利要求1至11中任一项所述的半导体装置，其中，

所述半导体装置为纵型器件。

13.根据权利要求1至12中任一项所述的半导体装置，其中，

所述半导体装置为二极管。

14.根据权利要求1至12中任一项所述的半导体装置，其中，

所述半导体装置为晶体管。

15.根据权利要求1至12中任一项所述的半导体装置，其中，

所述半导体装置为结势垒肖特基二极管。

16.一种半导体系统，具备半导体装置，所述半导体装置为权利要求1至15中任一项所述所述的半导体装置。