[发明专利]一种工艺腔室漏率检测方法、半导体工艺设备

权利要求书

1.一种工艺腔室漏率检测方法，其特征在于，所述方法包括：

实时确定工艺腔室是否满足漏率检测条件，若是，将所述工艺腔室的漏率检测指示参数设置为指示需要进行漏率检测；

实时监控所述工艺腔室的漏率检测指示参数，在监控到所述漏率检测指示参数指示需要进行漏率检测时，确定是否存在所述工艺腔室的并行工艺腔室，其中，所述工艺腔室的并行工艺腔室为与所述工艺腔室的类型相同的、可以执行所述工艺腔室的工艺任务的其他工艺腔室；

若是，在所述工艺腔室不存在晶圆时或者所述工艺腔室中的晶圆由于针对晶圆的工艺操作完成离开所述工艺腔室后，将所述工艺腔室的状态标识为下线状态；

对所述工艺腔室执行漏率检测操作，得到检测结果，并将所述工艺腔室的漏率检测指示参数设置为指示不需要进行漏率检测。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述漏率检测条件包括以下条件项：当前时刻为所述工艺腔室的检测时刻、工艺腔室的自动漏率检测功能处于开启状态、所述工艺腔室处于在线状态。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述工艺腔室的任意两个在时序上相邻的检测时刻之间的时间间隔均为预设时长。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

若不存在所述工艺腔室的并行工艺腔室，生成报警信息。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

当检测结果为漏率异常时，生成漏率异常提示信息；

当检测结果为漏率正常时，将所述工艺腔室的状态标识为在线状态。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

在解决漏率异常的操作执行完成后，再次对所述工艺腔室进行漏率检测操作，得到再次检测结果；

当检测结果依旧为漏率异常时，再次生成漏率异常提示信息；

当再次检测结果为漏率正常时，将所述工艺腔室的状态标识为在线状态。

7.一种半导体工艺设备，其特征在于，所述设备包括：

确定单元，被配置为实时确定所述半导体工艺设备的工艺腔室是否满足漏率检测条件，若是，将所述工艺腔室的漏率检测指示参数设置为指示需要进行漏率检测；实时监控所述工艺腔室的漏率检测指示参数，在监控到所述漏率检测指示参数指示需要进行漏率检测时，确定是否存在所述工艺腔室的并行工艺腔室，其中，所述工艺腔室的并行工艺腔室为与所述工艺腔室的类型相同的、可以执行所述工艺腔室的工艺任务的其他工艺腔室；

标识单元，被配置为若存在所述工艺腔室的并行工艺腔室，在所述工艺腔室不存在晶圆时或者所述工艺腔室中的晶圆由于针对晶圆的工艺操作完成离开所述工艺腔室后，将所述工艺腔室的状态标识为下线状态；

检测单元，被配置为对所述工艺腔室执行漏率检测操作，得到检测结果，并将所述工艺腔室的漏率检测指示参数设置为指示不需要进行漏率检测。

8.根据权利要求7所述的设备，其特征在于，漏率检测条件包括以下条件项：当前时刻为工艺腔室的检测时刻、工艺腔室的自动漏率检测功能处于开启状态、工艺腔室处于在线状态。

9.根据权利要求8所述的设备，其特征在于，工艺腔室的任意两个在时序上相邻的检测时刻之间的时间间隔均为预设时长。

10.根据权利要求7所述的设备，其特征在于，所述确定单元还被配置为若不存在工艺腔室的并行工艺腔室，生成报警信息。