[发明专利]一种低温漂环形振荡器、芯片及通信终端

权利要求书

1.一种低温漂环形振荡器，其特征在于包括温度跟踪补偿电路、反相器振荡回路和缓冲整形电路,所述温度跟踪补偿电路的输出端连接所述反相器振荡回路的输入端，所述反相器振荡回路的输出端连接所述缓冲整形电路的输入端。

2.如权利要求1所述的低温漂环形振荡器，其特征在于：

所述反相器振荡回路由奇数级第一反相器和数量与所述第一反相器级数相同的电容级联组成；

级联之后的所述第一反相器首尾相连，并且所述第一反相器都连接到所述温度跟踪补偿电路，最后一级的所述第一反相器连接所述缓冲整形电路。

3.如权利要求2所述的低温漂环形振荡器，其特征在于：

所述电容为MOS电容或MIM电容。

4.如权利要求1所述的低温漂环形振荡器，其特征在于：

所述温度跟踪补偿电路包括温度跟踪补偿单元、第一使能控制单元、电压跟随单元、第一滤波单元和第二滤波单元，所述电压跟随单元分别与所述温度跟踪补偿单元、所述第一使能控制单元、所述第一滤波单元以及偏置电流产生电路之间相互连接，所述第二滤波单元连接所述电压跟随单元，所述温度跟踪补偿单元、所述第一使能控制单元、所述电压跟随单元、所述第一滤波单元和所述第二滤波单元还分别连接地。

5.如权利要求4所述的低温漂环形振荡器，其特征在于：

所述温度跟踪补偿单元由第二PMOS管和第四NMOS管采用二极管连接方式组成。

6.如权利要求4所述的低温漂环形振荡器，其特征在于：

所述温度跟踪补偿单元由第三PMOS管或第七NMOS管实现。

7.如权利要求4所述的低温漂环形振荡器，其特征在于：

所述电压跟随单元采用电压跟随器或电压同相放大器实现。

8.如权利要求1所述的低温漂环形振荡器，其特征在于：

所述缓冲整形电路由第二反相器组成的电平转换单元组成。

9.如权利要求1所述的低温漂环形振荡器，其特征在于：

在所述温度跟踪补偿电路、所述反相器振荡回路和所述缓冲整形电路的一个或多个位置设置PMOS管或NMOS管作为使能控制管，以控制所述温度跟踪补偿电路、所述反相器振荡回路和所述缓冲整形电路的开启和关闭。

10.如权利要求1～9中任意一项所述的低温漂环形振荡器，其特征在于：

所述温度跟踪补偿电路根据跟踪所述反相器振荡回路中第一反相器阻抗的温度特性，产生具有补偿所述反相器振荡回路振荡频率的温度特性的供电电压，输出到所述反相器振荡回路。

11.一种集成电路芯片，其特征在于包括权利要求1～10中任意一项所述的低温漂环形振荡器。

12.一种通信终端，其特征在于包括权利要求1～10中任意一项所述的低温漂环形振荡器。