[发明专利]生成集成电路布局图的方法、集成电路器件和系统

权利要求书

1.一种生成集成电路布局图的方法，所述方法包括：

将第一有源区域定位在所述集成电路布局图中的第二有源区域和第三有源区域之间并且与所述第二有源区域和所述第三有源区域相邻，所述第一有源区域、所述第二有源区域和所述第三有源区域中的每个均在第一方向上延伸；

使所述第一有源区域与相邻的第一栅极区域至第四栅极区域相交，从而限定第一反熔丝位的反熔丝结构的栅极的相应位置、所述第一反熔丝位的晶体管的栅极的相应位置、第二反熔丝位的晶体管的栅极的相应位置和所述第二反熔丝位的反熔丝结构的栅极的相应位置；

使分隔开的第一导电区域和第二导电区域沿着第一方向对准并且位于所述第一有源区域和所述第二有源区域之间，从而使所述第一导电区域与所述第一栅极区域相交，并且使所述第二导电区域与所述第四栅极区域相交；以及

使分隔开的第三导电区域和第四导电区域沿着所述第一方向对准并且位于所述第一有源区域和所述第三有源区域之间，从而使所述第三导电区域与所述第一栅极区域相交，并且使所述第四导电区域与第三栅极区域相交，或者使所述第三导电区域与第二栅极区域相交，并且使所述第四导电区域与所述第四栅极区域相交，

其中，定位所述第一有源区域、使所述第一有源区域与相邻的所述第一栅极区域至所述第四栅极区域相交、使分隔开的所述第一导电区域和所述第二导电区域对准或者使分隔开的所述第三导电区域和所述第四导电区域对准中的至少一个由计算机的处理器执行。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，使分隔开的所述第三导电区域和所述第四导电区域沿着所述第一方向对准包括将所述第三导电区域和所述第四导电区域分隔开第一距离，所述第一距离对应于极紫外(EUV)制造工艺的最小间距规则。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，使分隔开的所述第一导电区域和所述第二导电区域沿着所述第一方向对准包括将所述第一导电区域和所述第二导电区域分隔开第二距离，所述第二距离大于所述第一距离。

4.根据权利要求1所述的方法，还包括使分隔开的第五导电区域和第六导电区域沿着所述第一方向对准，其中，

所述第三有源区域位于所述第三导电区域和所述第四导电区域与所述第五导电区域和所述第六导电区域之间，并且

使所述第五导电区域和所述第六导电区域对准包括使所述第五导电区域与所述第一栅极区域相交，并且使所述第六导电区域与所述第四栅极区域相交。

5.根据权利要求1所述的方法，还包括使分隔开的第五导电区域和第六导电区域沿着所述第一方向对准，其中，

所述第一有源区域位于所述第一导电区域和所述第二导电区域与所述第五导电区域和所述第六导电区域之间，

当使分隔开的所述第三导电区域和所述第四导电区域对准包括使所述第三导电区域与所述第一栅极区域相交，并且使所述第四导电区域与所述第三栅极区域相交时，使分隔开的所述第五导电区域和所述第六导电区域对准包括使所述第五导电区域与所述第二栅极区域相交，并且使所述第六导电区域与所述第四栅极区域相交，并且

当使分隔开的所述第三导电区域和所述第四导电区域对准包括使所述第三导电区域与所述第二栅极区域相交，并且使所述第四导电区域与所述第四栅极区域相交时，使分隔开的所述第五导电区域和所述第六导电区域对准包括使所述第五导电区域与所述第一栅极区域相交，并且使所述第六导电区域与所述第三栅极区域相交。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，使分隔开的所述第三导电区域和所述第四导电区域沿着所述第一方向对准以及使分隔开的所述第五导电区域和所述第六导电区域沿着所述第一方向对准中的每个包括将对应的所述第三导电区域和所述第四导电区域或将所述第五导电区域和所述第六导电区域分隔开对应于最小间距规则的距离。