[发明专利]半导体元件及其制作方法

权利要求书

1.一种制作最小鳍状结构长度的方法，其特征在于，包含：

形成鳍状结构沿着第一方向延伸于基底上；

形成第一单扩散隔离凹槽以及第二单扩散隔离凹槽沿着第二方向延伸并将该鳍状结构分隔为第一部分、第二部分以及第三部分；以及

进行鳍状结构切割制作工艺去除该第一部分以及该第三部分。

2.如权利要求1所述的方法，其中该第一部分位于该第一单扩散隔离凹槽一侧且该第三部分位于该第二单扩散隔离凹槽一侧。

3.如权利要求1所述的方法，其中该第二部分位于该第一单扩散隔离凹槽以及该第二单扩散隔离凹槽之间。

4.如权利要求1所述的方法，另包含形成介电层于该第一单扩散隔离凹槽以及该第二单扩散隔离凹槽内以形成第一单扩散隔离结构以及第二单扩散隔离结构。

5.如权利要求4所述的方法，其中该第二部分接触该第一单扩散隔离结构以及该第二单扩散隔离结构。

6.如权利要求1所述的方法，其中该鳍状结构切割制作工艺包含：

形成图案化掩模于该第一单扩散隔离凹槽、该第二部分以及该第二单扩散隔离凹槽上；以及

去除该第一部分以及该第三部分。

7.如权利要求1所述的方法，另包含：

形成第一栅极结构沿着该第二方向延伸于该第二部分一侧；以及

形成第二栅极结构沿着该第二方向延伸于该第二部分另一侧。

8.如权利要求7所述的方法，其中该第一栅极结构边缘切齐该第二部分边缘。

9.如权利要求7所述的方法，其中该第二栅极结构边缘切齐该第二部分边缘。

10.如权利要求1所述的方法，其中该第一方向垂直该第二方向。

11.一种半导体元件，其特征在于，包含：

鳍状结构，沿着第一方向延伸于基底上；

一第一单扩散隔离结构，沿着第二方向延伸于该鳍状结构一侧，其中该第一单扩散隔离结构包含第一边接触该鳍状结构以及第二边不接触任何鳍状结构；以及

第二单扩散隔离结构，沿着该第二方向延伸于该鳍状结构另一侧。

12.如权利要求11所述的半导体元件，其中该第二单扩散隔离结构包含第三边接触该鳍状结构以及第四边不接触任何鳍状结构。

13.如权利要求11所述的半导体元件，另包含：

第一栅极结构，沿着该第二方向延伸于该鳍状结构一侧；以及

第二栅极结构，沿着该第二方向延伸于该鳍状结构另一侧。

14.如权利要求13所述的半导体元件，其中该第一栅极结构边缘切齐该鳍状结构边缘。

15.如权利要求13所述的半导体元件，其中该第二栅极结构边缘切齐该鳍状结构边缘。

16.如权利要求11所述的半导体元件，其中设于该第一单扩散隔离结构正下方的该基底顶部低于该鳍状结构正下方的该基底顶部。

17.如权利要求11所述的半导体元件，其中设于该第二单扩散隔离结构正下方的该基底顶部低于该鳍状结构正下方的该基底顶部。

18.如权利要求11所述的半导体元件，其中该第一方向垂直该第二方向。