[发明专利]一种介质阻挡放电调控尖晶石型金属氧化物表面阴阳离子缺陷的方法

权利要求书

1.一种介质阻挡放电调控尖晶石型金属氧化物表面阴阳离子缺陷的方法，包括以下步骤：

(1).将反应试剂混合置于等离子体反应釜中；

(2).将反应釜置于等离子发生电极之间；

(3).向反应釜中通入等离子体发生气；

(4).调节等离子体发生装置工作电压，在工作电极上产生工作电压及工作电流，击穿等离子体发生气，产生等离子体，作用于反应试剂；

(5).将所得产物进行洗涤和干燥；

其特征在于，通过调整反应试剂种类、等离子体发生气的种类和组成、处理功率、处理时间中至少一个参数，调控尖晶石型金属氧化物表面阴离子缺陷和/或阳离子缺陷的浓度，所述反应试剂包括尖晶石型金属氧化物和碱性化合物，所述碱性化合物为溶于水能够电离出氢氧根离子且PH大于7的物质。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤1中，所述尖晶石型金属氧化物为由镍、钴、铝、锰、铁中的一种或多种金属元素构成的尖晶石型金属氧化物。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤3中，所述的等离子体发生气为，氩气、氧气、空气、氮气中一种或多种气体。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤4中，等离子体作用于反应试剂的时间为15s-30min。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤4中，所述工作电压为200～1000V，工作电流为1～4A。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤5中，所述的洗涤采用无水乙醇和超纯水洗涤至少洗涤6次。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤5中，所述的干燥温度为60℃，干燥时长为6-12小时。

8.根据权利要求1至7任一项所述的方法，其特征在于：所述的等离子体反应釜采用板式或管式反应釜。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤4中，操作温度为常温，操作压力为常压。