[发明专利]一种绝缘体上硅电路静电放电防护钳位电路有效
| 申请号： | 202011277041.7 | 申请日： | 2020-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN112491021B | 公开（公告）日： | 2023-01-17 |
| 发明（设计）人： | 曾传滨;李晓静;高林春;闫薇薇;倪涛;王加鑫;李多力;罗家俊;韩郑生 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H02H9/00 | 分类号： | H02H9/00;H02H9/02 |
| 代理公司： | 北京华沛德权律师事务所 11302 | 代理人： | 房德权 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 绝缘体 电路 静电 放电 防护 | ||
1.一种绝缘体上硅电路静电放电防护钳位电路，用于要求控制端口和数据端口均不能与电源之间存在放电通路以及电源和OUT端口仅允许串联两个及更多MOS管的电路；其特征在于，包括：端口PAD、第一静电阻抗器、第二静电阻抗器、第三静电阻抗器、第四静电阻抗器、第五静电阻抗器、第六静电阻抗器以及伪电源；
所述端口PAD依次通过所述第一静电阻抗器以及所述第五静电阻抗器连接伪电源；
所述端口PAD通过所述第二静电阻抗器接地；
所述端口PAD还通过所述第三静电阻抗器接地；
所述端口PAD还通过依次串联的所述第六静电阻抗器和所述第四静电阻抗器接地；
所述端口PAD还通过依次串联的所述第一静电阻抗器和所述第三静电阻抗器接地；
其中，所述第六静电阻抗器与所述第四静电阻抗器之间连接有防护对象连接端口；
所述伪电源为从防护对象内部借用来为该静电防护钳位电路供电的端口。
2.如权利要求1所述的绝缘体上硅电路静电放电防护钳位电路，其特征在于，所述第一静电阻抗器包括：第一栅控二极管；
所述第一栅控二极管的正极与所述端口PAD相连，所述第一栅控二极管的负极通过所述第五静电阻抗器与所述伪电源相连。
3.如权利要求2所述的绝缘体上硅电路静电放电防护钳位电路，其特征在于，所述第五静电阻抗器包括：第三栅控二极管；
所述第三栅控二极管的负极与所述第一栅控二极管的负极相连，所述第三栅控二极管的正极与所述伪电源相连。
4.如权利要求3所述的绝缘体上硅电路静电放电防护钳位电路，其特征在于，所述第二静电阻抗器包括：第二栅控二极管；
所述第二栅控二极管的负极与所述端口PAD相连，所述第二栅控二极管的正极接地。
5.如权利要求4所述的绝缘体上硅电路静电放电防护钳位电路，其特征在于，所述第三静电阻抗器包括：电容、第一电阻以及第一MOS管；
所述第一MOS管的栅极通过所述第一电阻接地，且所述第一MOS管的栅极通过所述电容与所述第一栅控二极管的负极相连；
所述第一MOS管的源极接地，所述第一MOS管的漏极与所述端口PAD相连。
6.如权利要求5所述的绝缘体上硅电路静电放电防护钳位电路，其特征在于，所述第四静电阻抗器包括：第二MOS管；
所述第二MOS管的源极和栅极接地，所述第二MOS管的漏极与所述防护对象连接端口相连。
7.如权利要求6所述的绝缘体上硅电路静电放电防护钳位电路，其特征在于，所述第六静电阻抗器包括：第二电阻；
所述第二电阻的两端分别连接所述防护对象连接端口以及所述端口PAD。
8.如权利要求7所述的绝缘体上硅电路静电放电防护钳位电路，其特征在于，所述第一MOS管和所述第二MOS管为N型MOS管。
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