[发明专利]一种简易负电压基准电路有效
| 申请号： | 202011277661.0 | 申请日： | 2020-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN112306143B | 公开（公告）日： | 2022-05-13 |
| 发明（设计）人： | 梁剑秋;曹发兵;杨亮亮;赵星;孔金磊;彭力;胡瑞芳;周江 | 申请（专利权）人： | 江苏万邦微电子有限公司 |
| 主分类号： | G05F3/26 | 分类号： | G05F3/26 |
| 代理公司： | 南京源古知识产权代理事务所(普通合伙) 32300 | 代理人： | 郑宜梅 |
| 地址： | 210000 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 简易 电压 基准 电路 | ||
1.一种简易负电压基准电路，其特征在于：包括负参考电压电路与输出运放电路，所述负参考电压电路输出参考电压VB至输出运放电路；输出运放电路将输入参考电压VB并输出负电压基准VREF；
所述负参考电压电路包括PMOS管PMOS3与耗尽型NMOS管DEPN1，具体连接方式为：PMOS3的S极接地，PMOS3的G极与D极短接，PMOS3的D极与DEPN1的D极相连；DEPN1的G极与S极均与负电压VSS相连，其中PMOS3的D极输出负参考电压VB；
所述输出运放电路包括PMOS管PMOS4、PMOS管PMOS5、NMOS管NMOS6、NMOS管NMOS7、耗尽型NMOS管DEPN2，具体连接方式为：负参考电压VB连接NMOS6的G极，NMOS6的D极与PMOS4的D极相连；PMOS4的G极与D极短接，PMOS4的S极接地；PMOS4的G极与PMOS5的G极相连；POMS5的S极接地；POMS5的D极与NMOS7的D极相连；NMOS7的D极与G极短接；NMOS7的S极与NMOS6的S极相连后与DEPN2的D极相连；DEPN2的G极与S极均与负电压VSS相连；NMOS7的D极输出负电压基准VREF。
2.根据权利要求1所述的一种简易负电压基准电路，其特征在于：所述负参考电压电路只包含PMOS管和耗尽型NMOS管。
3.根据权利要求1所述的一种简易负电压基准电路，其特征在于：所述输出运放电路的尾电流偏差仅采用耗尽型NMOS管构成。
4.根据权利要求1所述的一种简易负电压基准电路，其特征在于：耗尽型NMOS管DEPN1、DEPN2的阈值电压为小于-0.1V的负值。
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