[发明专利]一种半导体激光器及其制作方法

权利要求书

1.一种半导体激光器，其特征在于，包括：

在第一方向上依次叠加设置的衬底、N型DBR反射镜层、发光外延结构、氧化层及P型DBR反射镜层，所述发光外延结构包括在所述第一方向上依次设置的第一量子阱层至第N量子阱层，所述第一量子阱层至第N量子阱层中任意一量子阱层包括InGaAs阱层；

其中，第i量子阱层中InGaAs阱层的In组分大于第i+1量子阱层中InGaAs阱层的In组分，N为大于或等于2的整数，i为大于或等于1且小于N的整数；

N为3，其中，所述发光外延结构包括在所述第一方向上依次设置的第一波导层、第一量子阱层、第二波导层、第一P型层、第一N型层、N型波导层、第二量子阱层、AlGaAs层、第二P型层、第二N型层、第三量子阱层和P型波导层；

所述第一波导层为第一AlGaAs波导层，所述第一AlGaAs波导层的Al组分大于0.2且小于0.6；

所述第二波导层为第二AlGaAs波导层，所述第二AlGaAs波导层的Al组分大于0.1且小于0.6；

所述第一P型层为第一P型AlGaAs层，所述第一P型AlGaAs层的Al组分大于0.1且小于0.6，所述第一P型AlGaAs层的掺杂源为Mg或C，所述第一P型AlGaAs层的掺杂浓度为5E19-2E20，包括端点值，且所述第一P型AlGaAs层的V/III比值为10-500，包括端点值；

所述第一N型层为第一N型AlGaAs层，所述第一N型AlGaAs层的Al组分大于0且小于0.6，所述第一N型AlGaAs层的掺杂源为Si或Te，所述第一N型AlGaAs层的掺杂浓度为1E18-5E19，包括端点值，且所述第一N型AlGaAs层的V/III比值为10-500，包括端点值；

所述N型波导层为N型AlGaAs波导层，所述N型AlGaAs波导层的Al组分大于0.2且小于0.6；

所述AlGaAs层的Al组分大于0.05且小于0.25；

所述第二P型层为第二P型AlGaAs层，所述第二P型AlGaAs层的Al组分大于0.05且小于0.25，所述第二P型AlGaAs层的掺杂源为Mg或C，所述第二P型AlGaAs层的掺杂浓度为5E19-2E20，包括端点值，且所述第二P型AlGaAs层的V/III比值为10-500，包括端点值；

所述第二N型层为第二N型AlGaAs层，所述第二N型AlGaAs层的Al组分大于0.05且小于0.25，所述第二N型AlGaAs层的掺杂源为Si或Te，所述第二N型AlGaAs层的掺杂浓度为1E18-5E19，包括端点值，且所述第二N型AlGaAs层的V/III比值为10-500，包括端点值；

所述P型波导层为P型AlGaAs波导层，所述P型AlGaAs波导层的Al组分大于0.2且小于0.6。

2.根据权利要求1所述的半导体激光器，其特征在于，所述第一量子阱包括GaAs垒层，所述第二量子阱层包括AlGaAs垒层，所述第三量子阱层包括InAlGaAs垒层。

3.根据权利要求2所述的半导体激光器，其特征在于，所述AlGaAs垒层的Al组分大于0.05且小于0.25。

4.根据权利要求1所述的半导体激光器，其特征在于，所述半导体激光器还包括位于所述衬底与所述N型DBR反射镜层之间的缓冲层。

5.根据权利要求4所述的半导体激光器，其特征在于，所述缓冲层为GaAs缓冲层。

6.根据权利要求1所述的半导体激光器，其特征在于，所述半导体激光器还包括位于所述P型DBR反射镜层背离所述衬底一侧的P型AlGaAs层。

7.根据权利要求6所述的半导体激光器，其特征在于，所述半导体激光器还包括位于所述P型AlGaAs层背离所述衬底一侧的P型GaAs层。

8.一种半导体激光器的制作方法，其特征在于，用于制备权利要求1-7任意一项所述的半导体激光器，包括：

提供衬底；

在所述衬底上形成在第一方向上依次叠加设置的N型DBR反射镜层、发光外延结构、氧化层及P型DBR反射镜层，所述发光外延结构包括在所述第一方向上依次设置的第一量子阱层至第N量子阱层，所述第一量子阱层至第N量子阱层中任意一量子阱层包括InGaAs阱层；其中，第i量子阱层中InGaAs阱层的In组分大于第i+1量子阱层中InGaAs阱层的In组分，N为大于或等于2的整数，i为大于或等于1且小于N的整数。