[发明专利]一种可逆室温储氢高熵合金、其制备及其应用有效
| 申请号： | 202011278390.0 | 申请日： | 2020-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN112501485B | 公开（公告）日： | 2022-04-12 |
| 发明（设计）人： | 薛云飞;李笑锡;李云凯;王本鹏 | 申请（专利权）人： | 北京理工大学 |
| 主分类号： | C22C30/00 | 分类号： | C22C30/00;C22C1/02;C01B3/00 |
| 代理公司： | 北京理工大学专利中心 11120 | 代理人： | 周蜜;仇蕾安 |
| 地址： | 100081 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 可逆 室温 储氢高熵 合金 制备 及其 应用 | ||
1.一种可逆室温储氢高熵合金，其特征在于：所述高熵合金的化学式记为TiaVbNbcCrdMy，M为Zr、Ni、Mn、Fe、Co、Mo、Al、Hf和Ta中的至少一种；
其中，5at％≤a≤40at％，25at％≤b≤40at％，5at％≤c≤30at％，10at％≤d≤20at％，0at％≤y≤20at％，且60at％≤a+b+c≤85at％以及a+b+c+d+y＝100。
2.根据权利要求1所述的一种可逆室温储氢高熵合金，其特征在于：TiaVbNbcCrdMy高熵合金中，M为Zr、Ni、Mn、Fe、Co、Mo、Al、Hf和Ta中的至少一种，20at％≤a≤40at％，25at％≤b≤40at％，5at％≤c≤30at％，10at％≤d≤20at％，0at％≤y≤15at％，且70at％≤a+b+c≤85at％以及a+b+c+d+y＝100。
3.根据权利要求1或2所述的一种可逆室温储氢高熵合金，其特征在于：M为Zr、Hf或Ta。
4.一种如权利要求1或2所述的可逆室温储氢高熵合金的制备方法，其特征在于：所述方法步骤如下，
在氩气保护下，将洁净的单质元素Ti、V、Nb、Cr和M进行合金化熔炼，完全熔融后的合金液冷却形成合金锭，将合金锭翻转，重复熔炼三次以上，得到TiaVbNbcCrdMy高熵合金。
5.一种如权利要求1所述的可逆室温储氢高熵合金的制备方法，其特征在于：采用电弧熔炼进行合金化熔炼。
6.一种如权利要求1或2所述的可逆室温储氢高熵合金的应用，其特征在于：先将TiaVbNbcCrdMy高熵合金在300℃～400℃下吸放氢循环1～2次，完成TiaVbNbcCrdMy高熵合金的活化后再用于储存氢。
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