[发明专利]显示面板及显示装置在审
申请号: | 202011278594.4 | 申请日: | 2020-11-16 |
公开(公告)号: | CN112420947A | 公开(公告)日: | 2021-02-26 |
发明(设计)人: | 左飞 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L27/32;G02F1/1333 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 张晓薇 |
地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 显示装置 | ||
1.一种显示面板,其特征在于,包括衬底、位于所述衬底上的驱动电路层、位于所述驱动电路层上的发光器件层、位于所述发光器件层上的封装层及位于所述封装层上的盖板层;
其中,所述显示面板还包括位于所述封装层内的至少一界面构件,所述界面构件位于所述显示面板外围的非显示区内,所述界面构件的折射率与所述封装层的任一膜层的折射率相异。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述封装层包括靠近所述发光器件层一侧的第一无机层、位于所述第一无机层上的第一有机层及位于所述第一有机层上的第二无机层;
所述界面构件与所述第一有机层和/或所述第二无机层同层设置。
3.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述界面构件的材料包括氮氧化硅、硅氮化合物、硅氧化合物中的任意一种或多种的组合;
其中,所述界面构件的材料的各元素的含量与所述第一有机层的材料的各元素的含量不同,所述界面构件的材料的各元素的含量与所述第二无机层的材料的各元素的含量不同。
4.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述界面构件的折射率大于所述第一无机层的折射率,所述界面构件的折射率小于所述第二无机层的折射率。
5.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述界面构件与所述第一有机层同层设置,所述界面构件的厚度与所述第一有机层的厚度相同;
或者,所述界面构件与所述第二无机层同层设置,所述界面构件的厚度与所述第二无机层的厚度相同。
6.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述界面构件包括多个界面单元,多个所述界面单元堆叠设置,至少一所述界面单元搭接在相邻所述界面单元上。
7.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述界面构件包括异层设置的至少一第一界面单元及至少一第二界面单元,所述第一界面单元与所述第二界面单元在所述衬底上的正投影至少部分重合。
8.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,在所述显示面板的出光方向上,所述界面构件的折射率逐渐增大。
9.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,在所述显示面板的边缘至所述显示面板的中心的方向上,所述界面构件的厚度先增大后减小。
10.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求1~9中任一项所述的显示面板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择