[发明专利]半导体工艺设备及其工艺腔室在审
| 申请号： | 202011278607.8 | 申请日： | 2020-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN112466783A | 公开（公告）日： | 2021-03-09 |
| 发明（设计）人： | 李渊;吴仪 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;B05B7/02;B08B3/02 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;王婷 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 工艺设备 及其 工艺 | ||
1.一种半导体工艺腔室，其特征在于，包括承载装置和设置于所述承载装置上方的多相流喷嘴阵列，所述承载装置用于承载待清洗件，所述多相流喷嘴阵列用于朝向所述待清洗件的待清洗表面喷淋清洗介质，其中，所述多相流喷嘴阵列在所述待清洗件径向上的最大尺寸大于或等于所述待清洗件的半径，以在所述待清洗件相对于所述多相流喷嘴阵列旋转时，总喷淋区域完全覆盖所述待清洗表面。
2.根据权利要求1所述的半导体工艺腔室，其特征在于，所述多相流喷嘴阵列在所述待清洗表面上的正投影与所述待清洗件的中心和至少部分边缘均有重叠。
3.根据权利要求1或2所述的半导体工艺腔室，其特征在于，所述多相流喷嘴阵列在所述待清洗表面上的正投影形状包括扇形、三角形、四边形、圆形、椭圆形或者不规则形状。
4.根据权利要求3所述的半导体工艺腔室，其特征在于，所述多相流喷嘴阵列在所述待清洗表面上的正投影形状包括扇形；并且，所述扇形的顶点与所述待清洗件的中心重叠，所述扇形的半径大于或等于所述待清洗件的半径。
5.根据权利要求4所述的半导体工艺腔室，其特征在于，所述扇形的圆心角大于等于0°且小于等于90°。
6.根据权利要求2所述的半导体工艺腔室，其特征在于，所述多相流喷嘴阵列中的多个多相流喷嘴在所述待清洗表面的周向上的数量和/或尺寸，自所述待清洗表面的边缘至所述待清洗表面的中心逐渐减少。
7.根据权利要求2所述的半导体工艺腔室，其特征在于，所述多相流喷嘴阵列在所述待清洗表面的周向上的尺寸自所述待清洗表面的边缘至所述待清洗表面的中心逐渐减小。
8.根据权利要求6所述的半导体工艺腔室，其特征在于，还包括单口多相流喷嘴，所述单口多相流喷嘴的流出端与所述多相流喷嘴阵列中的各个多相流喷嘴的流入端连接，用以向各个所述多相流喷嘴提供清洗介质；并且，所述单口多相流喷嘴的直径大于所述多相流喷嘴阵列中的各个所述多相流喷嘴的直径。
9.根据权利要求8所述的半导体工艺腔室，其特征在于，所述单口多相流喷嘴和所述多相流喷嘴阵列中的各个所述多相流喷嘴均为拉瓦尔喷管结构。
10.一种半导体工艺设备，其特征在于，包括如权利要求1-9任一项所述的半导体工艺腔室。
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