[发明专利]一种基于中子密度孔隙度差的储层评价方法在审

专利信息
申请号: 202011278613.3 申请日: 2020-11-16
公开(公告)号: CN112346147A 公开(公告)日: 2021-02-09
发明(设计)人: 韩锐羿;王祝文;齐兴华;崔裔瞳 申请(专利权)人: 吉林大学
主分类号: G01V11/00 分类号: G01V11/00
代理公司: 长春吉大专利代理有限责任公司 22201 代理人: 王立文
地址: 130012 吉林省长春市*** 国省代码: 吉林;22
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摘要:
搜索关键词: 一种 基于 中子 密度 孔隙 评价 方法
【权利要求书】:

1.一种基于中子密度孔隙度差的储层评价方法,其特征在于,包括以下步骤:

a、安装CIFLog测井解释平台,要求采用CIFLog 2.1及以上版本,并且已配备JAVA运行环境及VC运行环境;

b、收集符合标准的常规测井资料及录井资料,进行资料预处理,包括深度校正、平滑滤波、井眼校正;

c、计算并绘制电阻率曲线,补偿中子孔隙度曲线及补偿密度孔隙度曲线;

d、对目标储层的深度进行屏幕取值,记录对应储层深度的电阻率,密度及中子孔隙度;

e、利用补偿密度孔隙度资料计算出密度孔隙度,计算公式为:

ФDEN=(2.65-ρ)÷1.65×100% (1)

式中ФDEN为密度孔隙度,单位为%;ρ为密度测井所测密度值,单位为g/cm3

f、将中子孔隙度值与密度孔隙度值求差,获得密度-中子孔隙度差,计算公式为:

Ф=ФCNLDEN (2)

式中Ф为中子-密度孔隙度差,单位为%;ФCNL为中子孔隙度,单位为%,如中子孔隙度测井资料单位为1,则将其单位转化为%后进行计算;

g、计算目标储层视地层水电阻率数值,计算公式为:

式中Rt为地层电阻率,单位为Ω·m,为地层孔隙度,单位为%,a是与岩性有关的岩性系数,M是胶结指数;

h、将计算得到的中子—密度孔隙度差及视地层水电阻率进行交会处理,绘制视地层水电阻率—中子—密度孔隙度差交会图;

i、根据图版对交会图中对应储层进行评价,具体评价标准根据地层类型进行区分。

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