[发明专利]一种基于中子密度孔隙度差的储层评价方法在审
申请号: | 202011278613.3 | 申请日: | 2020-11-16 |
公开(公告)号: | CN112346147A | 公开(公告)日: | 2021-02-09 |
发明(设计)人: | 韩锐羿;王祝文;齐兴华;崔裔瞳 | 申请(专利权)人: | 吉林大学 |
主分类号: | G01V11/00 | 分类号: | G01V11/00 |
代理公司: | 长春吉大专利代理有限责任公司 22201 | 代理人: | 王立文 |
地址: | 130012 吉林省长春市*** | 国省代码: | 吉林;22 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基于 中子 密度 孔隙 评价 方法 | ||
1.一种基于中子密度孔隙度差的储层评价方法,其特征在于,包括以下步骤:
a、安装CIFLog测井解释平台,要求采用CIFLog 2.1及以上版本,并且已配备JAVA运行环境及VC运行环境;
b、收集符合标准的常规测井资料及录井资料,进行资料预处理,包括深度校正、平滑滤波、井眼校正;
c、计算并绘制电阻率曲线,补偿中子孔隙度曲线及补偿密度孔隙度曲线;
d、对目标储层的深度进行屏幕取值,记录对应储层深度的电阻率,密度及中子孔隙度;
e、利用补偿密度孔隙度资料计算出密度孔隙度,计算公式为:
ФDEN=(2.65-ρ)÷1.65×100% (1)
式中ФDEN为密度孔隙度,单位为%;ρ为密度测井所测密度值,单位为g/cm3;
f、将中子孔隙度值与密度孔隙度值求差,获得密度-中子孔隙度差,计算公式为:
Ф=ФCNL-ФDEN (2)
式中Ф为中子-密度孔隙度差,单位为%;ФCNL为中子孔隙度,单位为%,如中子孔隙度测井资料单位为1,则将其单位转化为%后进行计算;
g、计算目标储层视地层水电阻率数值,计算公式为:
式中Rt为地层电阻率,单位为Ω·m,为地层孔隙度,单位为%,a是与岩性有关的岩性系数,M是胶结指数;
h、将计算得到的中子—密度孔隙度差及视地层水电阻率进行交会处理,绘制视地层水电阻率—中子—密度孔隙度差交会图;
i、根据图版对交会图中对应储层进行评价,具体评价标准根据地层类型进行区分。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于吉林大学,未经吉林大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202011278613.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。