[发明专利]基于气相沉积法的中空电极侧壁绝缘层制备系统及方法有效
申请号: | 202011280482.2 | 申请日: | 2020-11-16 |
公开(公告)号: | CN112391603B | 公开(公告)日: | 2022-11-08 |
发明(设计)人: | 孔全存;祝福莉;徐荣福;陈鑫鸣;汪子锐;李霄;陈寒放 | 申请(专利权)人: | 北京信息科技大学 |
主分类号: | C23C16/04 | 分类号: | C23C16/04;C23C16/448;C25F7/00 |
代理公司: | 北京开阳星知识产权代理有限公司 11710 | 代理人: | 杨中鹤;麻雪梅 |
地址: | 100192 北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基于 沉积 中空 电极 侧壁 绝缘 制备 系统 方法 | ||
1.一种基于气相沉积法的中空电极侧壁绝缘层制备系统,其特征在于,包括供气装置(50)、沉积装置(10)、电极毛细自持装置(1)、中空电极(30)、气体冷却装置(70)和供液装置(40),所述供气装置(50)通过供气阀(81)与所述沉积装置(10)连接,所述气体冷却装置(70)通过抽气阀(80)与所述沉积装置(10)连接,所述气体冷却装置(70)内设有用于抽真空的真空泵;
所述电极毛细自持装置(1)包括电极固定装置(60)和装液装置(20),所述中空电极(30)固定在所述电极固定装置(60)上,并放置在所述装液装置(20)中,所述电极毛细自持装置(1)固定于所述沉积装置(10)的底面,其底部通过供液阀(82)与所述供液装置(40)连接、并将出水口置于所述中空电极(30)的底部,所述供液装置(40)用于朝向所述装液装置(20)内输送亲水液体(90),所述中空电极(30)的小管(31)伸出所述亲水液体(90),并使得所述亲水液体(90)在毛细自持现象作用下充满所述小管(31)的内部;所述中空电极(30)为亲水金属管。
2.根据权利要求1所述的基于气相沉积法的中空电极侧壁绝缘层制备系统的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
将预处理后的中空电极(30)放置在电极固定装置(60)上并固定在装液装置(20)的底部,将装液装置(20)转动设置在沉积装置(10)内;
打开供液阀(82),通过供液装置(40)向装液装置(20)中注入亲水液体(90),液面上升高度达h1范围时,关闭供液阀(82);
在亲水金属管毛细自持现象下,中空电极(30)内的液面呈凹形稳定上升直至亲水液体(90)填满小管(31)的内部,稳定后液面上升高度达h2;
打开抽气阀(80),向沉积装置(10)中提供压强为0.3-0.4MPa的真空环境,关闭抽气阀(80);
打开供气阀(81)向沉积装置(10)中通入经供气装置(50)蒸发裂解后的聚对二甲苯气体;
经过t时间后,聚对二甲苯气体以聚对二甲苯聚合物的形态附着在中空电极(30)的外表面,并形成一层致密的薄膜;
镀膜结束,打开抽气阀(80),气体冷却装置(70)将镀膜过程中剩余气体冷阱捕集凝集。
3.根据权利要求2所述的基于气相沉积法的中空电极侧壁绝缘层制备系统的制备方法,其特征在于,中空电极(30)为亲水金属管,供液装置(40)向装液装置(20)中注入亲水液体(90)的液面高度h1为6cm-9cm,使得中空电极(30)中液面达到给定上升高度h2。
4.根据权利要求2所述的基于气相沉积法的中空电极侧壁绝缘层制备系统的制备方法,其特征在于,供液装置(40)向装液装置(20)中提供的亲水液体(90)为纯净水。
5.根据权利要求2所述的基于气相沉积法的中空电极侧壁绝缘层制备系统的制备方法,其特征在于,在镀膜过程中,聚对二甲苯沉积厚度与时间t的关系方程为,M为气体分子量,M=106.165g/mol,为聚对二甲苯沉积膜厚(m),D为扩散系数,D=,为聚对二甲苯气体密度,=3.2592 kg/m³。
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C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
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C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的