[发明专利]上电极组件及半导体工艺设备

说明书

本发明公开一种上电极组件及半导体工艺设备，该上电极组件用于半导体工艺设备馈入射频能量。所公开的上电极组件包括射频连接部、线圈连接部和导向套，导向套具有相背设置的第一端面和第二端面，第二端面开设有向导向套的内部延伸的安装空间，安装空间内设有多个定位空间，每个线圈连接部对应设置于一个定位空间内，相邻的两个线圈连接部间隔排布；第一端面开设有插接通道和连通空间，插接通道向导向套的内部延伸并与定位空间连通，插接通道与安装空间一一对应设置，射频连接部穿设于插接通道内，并与线圈连接部相连接；连通空间向导向套的内部延伸并与安装空间连通。上述方案能够降低耦合线圈内由于设置有导向套而存在的尖端放电风险。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种射频接线结构及半导体工艺设备。

背景技术

在半导体晶片的加工领域中，等离子体设备是利用等离子体实现对晶片的刻蚀、气相沉积等处理，在具体的处理过程中，需要通过射频系统向工艺腔室中施加电场来产生等离子体。相关的射频系统包括射频电源、匹配器和耦合线圈，射频电源与匹配器电连接，匹配器通过射频连接部与耦合线圈的线圈连接部实现导通，如此，耦合线圈可产生感应耦合作用，进而在工艺腔室内产生感应耦合等离子体，以对晶片进行工艺处理。

目前，射频连接部通常插接于线圈连接部中，通常线圈连接部上套设有导向套，射频连接部可通过导向套上的导向孔与线圈连接部实现对准。导向套的存在相当于在两个射频连接部之间增加了绝缘介质，而绝缘介质的介电常数通常远大于空气的介电常数，因此引入了绝缘介质会显著地增大相邻两个线圈连接部相对侧的电场强度，进而会存在较大的尖端放电风险。

发明内容

本发明公开一种上电极组件及半导体工艺设备，以降低耦合线圈内由于设置有导向套而存在的尖端放电风险。

为了解决上述问题，本发明采用下述技术方案：

第一方面，本发明提供一种上电极组件，用于半导体工艺设备馈入射频能量。所述上电极组件包括射频连接部、线圈连接部和导向套，所述导向套具有相背设置的第一端面和第二端面，第二端面开设有向所述导向套的内部延伸的安装空间，所述安装空间内设有多个定位空间，每个所述线圈连接部对应设置于一个所述定位空间内，相邻的两个所述线圈连接部间隔排布；

所述第一端面开设有插接通道和连通空间，所述插接通道向所述导向套的内部延伸并与所述定位空间连通，所述插接通道与所述安装空间一一对应设置，所述射频连接部穿设于所述插接通道内，并与所述线圈连接部相连接；所述连通空间向所述导向套的内部延伸并与所述安装空间连通，且相邻的两个所述插接通道被所述连通空间连通。

第二方面，本发明提供一种半导体工艺设备，其包括反应腔室和前述的上电极组件，所述上电极组件设置于所述反应腔室的顶部。

本发明采用的技术方案能够达到以下有益效果：

在本发明公开的上电极组件中，导向套的安装空间内设置有多个定位空间，如此导向套内就能够设置多个线圈连接部，多个线圈连接部可与插接入插接通道的多个射频连接部导通；同时，相邻的两个插接通道被连通空间连通，基于连通空间的存在，相当于减少了相邻两个射频连接部之间的绝缘介质，由于空气的介电常数较小，因此能够有效减小相邻两个射频连接部相对的电场强度，进而降低尖端放电的风险。

附图说明

此处所说明的附图用来提供对本发明的进一步理解，构成本发明的一部分，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。在附图中：

图1为本发明实施例公开的射频接线结构的结构示意图；

图2为本发明实施例公开的导向套的轴测图；

图3为本发明实施例公开的导向套的剖视图；

图4和图5分别为本发明实施例公开的导向套在俯视和仰视两个视角下的结构示意图；