[发明专利]LED芯片巨量转移方法、转移装置及显示屏制作方法

权利要求书

1.LED芯片巨量转移方法，其特征在于：包括以下步骤：

①在芯片的一个面上制作一层磁性薄膜；

②根据芯片的外形、尺寸制作具有若干与芯片外形、尺寸相适配的凹槽或通孔的转移基板，使若干芯片可根据物理形状的差异选择性嵌入转移基板的凹槽区域或通孔内；

③在转移基板一侧放置磁铁，利用磁性吸力和转移基板上的凹槽或通孔将带有磁性薄膜的若干芯片进行再分布选择性定位，转移至转移基板的对应凹槽或通孔内，实现巨量芯片自组装转移定位。

2.如权利要求1所述的LED芯片巨量转移方法，其特征在于：所述步骤①中的磁性薄膜采用带有磁性的磁性物质或具有铁磁性的金属制成。

3.如权利要求1或2所述的LED芯片巨量转移方法，其特征在于：所述步骤①中，在芯片上制作磁性薄膜的方法依次包括以下步骤：

a.将芯片制作完成的LED晶圆安置到定位基板上，芯片电极面远离定位基板；

b.根据LED晶圆上芯片的尺寸制作光刻掩模版；

c.在LED晶圆的芯片面上涂覆光刻胶；

d.借助光刻掩模版,经曝光、显影工艺，将芯片对应区域的光刻胶去除；

e.用磁粉填充裸露出来的芯片对应区域，通过在定位基板远离芯片一侧加设磁铁对LED晶圆上的磁粉进行顺磁，然后通过胶水使磁粉层固连于芯片表面；

f.使用去胶剂将光刻胶去除，芯片上磁性薄膜制作完成。

4.如权利要求3所述的LED芯片巨量转移方法，其特征在于：所述步骤e中，对LED晶圆上的磁粉进行顺磁后，在LED晶圆上喷涂一层液体胶水，固化胶水，使芯片与磁粉和胶水的混合物层形成牢固连接；然后，使用研磨机对LED晶圆上的磁粉和胶水的混合物层进行研磨，研磨至裸露出芯片之间的光刻胶为止，在每个芯片上形成磁性薄膜且芯片磁性薄膜之间有光刻胶隔离。

5.如权利要求1或2所述的LED芯片巨量转移方法，其特征在于：所述步骤①中，在芯片上制作磁性薄膜的方法依次包括以下步骤：

A.将芯片制作完成的LED晶圆安置到定位基板上，芯片电极面远离定位基板；

B.根据LED晶圆上芯片的尺寸制作光刻掩模版；

C.在LED晶圆的芯片面上涂覆光刻胶；

D.借助光刻掩模版,经曝光、显影工艺，将芯片对应区域的光刻胶去除；

E.在LED晶圆上镀膜铁磁性金属层，去除芯片以外区域的铁磁性金属层，并对芯片上铁磁性金属层进行充磁；

F.使用去胶剂将光刻胶去除，芯片上磁性薄膜制作完成。

6.如权利要求5所述的LED芯片巨量转移方法，其特征在于：所述步骤E中，镀膜铁磁性金属层采用蒸镀镀膜或溅射镀膜工艺。

7.如权利要求1所述的LED芯片巨量转移方法，其特征在于：所述转移基板上的凹槽或通孔的深度大于对应芯片的厚度0～2微米，长度、宽度尺寸分别大于对应芯片的长度、宽度尺寸1～2微米。

8.LED芯片巨量转移装置，其特征在于：包括有转移基板及磁铁，转移基板上开设有若干与待转移芯片外形、尺寸相适配的凹槽或通孔，磁铁可吸附于转移基板一侧、并与转移基板平面相配合、可单侧覆盖转移基板的凹槽或通孔。

9.如权利要求8所述的LED芯片巨量转移装置，其特征在于：所述若干凹槽或通孔呈阵列式排布于转移基板上。

10.显示屏制作方法，其特征在于：包括以下步骤：先根据权利要求1至7任一所述的LED芯片巨量转移方法分别将R、G、B三种不同颜色的芯片进行再分布巨量转移至三个转移基板上；然后分别将三个转移基板上的R、G、B芯片依次整体转移到一张膜上；最后，去除芯片上的磁性薄膜。