[发明专利]一种用于抑制纹波的方法、电路及电荷泵

权利要求书

1.一种用于抑制纹波的方法，其特征在于，具体包括以下步骤：

对电荷泵的输出信号进行低通滤波；

将进行低通滤波后的信号输入至电压跟随器内，使得电压跟随器输出电压的变动小于输入电压的变动，以实现纹波抑制。

2.一种用于抑制纹波的电路，其特征在于，包括低通滤波器和电压跟随器，通过低通滤波器对电荷泵的输出信号进行低通滤波，进行低通滤波后的信号输入至电压跟随器内，使电压跟随器输出电压的变动小于输入电压的变动，以实现纹波抑制。

3.根据权利要求2所述的用于抑制纹波的电路，其特征在于，所述低通滤波器采用一阶低通滤波器。

4.根据权利要求3所述的用于抑制纹波的电路，其特征在于，所述低通滤波器采用一阶的RC低通滤波器。

5.根据权利要求4所述的用于抑制纹波的电路，其特征在于，所述低通滤波器包括电阻R1和电容C1，所述电阻R1的一端连接至输入端，电阻R1的另一端与电容C1的一端连接，电容C1的另一端接地；电阻R1的一端与电压跟随器M1连接，电阻R1的另一端与电压跟随器M1连接。

6.根据权利要求5所述的用于抑制纹波的电路，其特征在于，所述电压跟随器M1采用MOS管。

7.根据权利要求6所述的用于抑制纹波的电路，其特征在于，所述电压跟随器M1采用低阈值电压的N型金属氧化物场效应晶体管NMOS。

8.根据权利要求7所述的用于抑制纹波的电路，其特征在于，所述电阻R1的另一端与N型金属氧化物场效应晶体管NMOS的栅极连接，N型金属氧化物场效应晶体管NMOS的源极连接至输入端，N型金属氧化物场效应晶体管NMOS的DNW、TPW和源极连接在一起后连接至输出端，N型金属氧化物场效应晶体管NMOS的DNW、TPW和源极连接在一起后与输出负载ZL一端连接，输出负载ZL另一端接地。

9.根据权利要求8所述的用于抑制纹波的电路，其特征在于，所述电压跟随器M1输出电压与输入电压的传递函数如下：

，

其中，为电压跟随器M1输出电压, 为电压跟随器M1输入电压, 为电阻R1的阻值，为电容C1的容值，s为信号的复数频率，为电压跟随器M1的跨导，为输出负载ZL的阻抗。

10.一种电荷泵，其特征在于，包括如权利要求2至9任一项所述的用于抑制纹波的电路。