[发明专利]发光二极管的外延片及其制备方法

权利要求书

1.一种发光二极管的外延片，其特征在于，所述外延片包括衬底(10)和依次形成在所述衬底(10)上的AlN缓冲层(20)、三维成核层(30)、u型GaN层(40)、n型GaN层(50)、多量子阱层(60)、低温p型层(70)、电子阻挡层(80)和高温p型层(90)，所述高温p型层(90)的生长温度高于所述低温p型层(70)的生长温度，其中，所述多量子阱层(60)包括交替层叠的多个In_xGa_1-xN量子阱层(61)和多个GaN量子垒层(62)、以及位于所述In_xGa_1-xN量子阱层(61)和所述GaN量子垒层(62)之间的复合结构(63)，所述复合结构(63)包括依次层叠的n-In_yGa_1-yN层(631)和SiN层(632)，0＜y＜x＜1。

2.根据权利要求1所述的外延片，其特征在于，所述n-In_yGa_1-yN层(631)的厚度为0.1nm～1.5nm。

3.根据权利要求1所述的外延片，其特征在于，0.1≤y≤0.3。

4.根据权利要求1所述的外延片，其特征在于，所述n-In_yGa_1-yN层(631)中Si的掺杂浓度为10¹⁷cm^-3～10¹⁸cm^-3。

5.根据权利要求1～4任一项所述的外延片，其特征在于，所述SiN层(632)的厚度为0.1nm～1nm。

6.根据权利要求1～4任一项所述的外延片，其特征在于，相邻的所述In_xGa_1-xN量子阱层(61)和所述GaN量子垒层(62)之间夹设有2～10个所述复合结构(63)。

7.一种发光二极管的外延片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：

提供一衬底；

在所述衬底上依次外延生长AlN缓冲层(20)、三维成核层(30)、u型GaN层(40)、n型GaN层(50)、多量子阱层(60)、低温p型层(70)、电子阻挡层(80)和高温p型层(90)，所述高温p型层(90)的生长温度高于所述低温p型层(70)的生长温度，其中，所述多量子阱层(60)包括交替层叠的多个In_xGa_1-xN量子阱层(61)和多个GaN量子垒层(62)、以及位于所述In_xGa_1-xN量子阱层(61)和所述GaN量子垒层(62)之间的复合结构(63)，所述复合结构(63)包括依次层叠的n-In_yGa_1-yN层(631)和SiN层(632)，0＜y＜x＜1。

8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述n-In_yGa_1-yN层(631)的生长温度为700℃～830℃，生长压力为100torr～300torr。

9.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述SiN层(632)采用如下方式生长：

在氮气和氢气的混合气氛下，向反应腔中以恒定流量通入氮气，以脉冲的形式通入硅烷，以氨气和硅烷作为原料气生长所述SiN层(632)。

10.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述SiN层(632)的生长温度为800℃～960℃，生长压力为100torr～300torr。