[发明专利]Taiko减薄晶圆的去环方法

说明书

本申请公开了一种Taiko减薄晶圆的去环方法，涉及半导体制造领域。该Taiko减薄晶圆的去环方法包括采用Taiko减薄工艺对晶圆背面进行减薄；调整激光光斑直径至预定值，所述预定值大于20um；通过激光切割方式切割晶圆背面的Taiko环；解决了目前Taiko环去环工艺容易导致晶圆出现裂纹和碎片的问题；达到了减少去环时导致的裂纹和碎片，提高环切工艺的稳定性的效果。

技术领域

本申请涉及半导体制造领域，具体涉及一种Taiko减薄晶圆的去环方法。

背景技术

Taiko减薄工艺是日本迪斯科公司开发的一种晶圆背面掩膜技术，在对晶圆进行研磨时，保留晶圆外围一定宽度的边缘部分，只对晶圆中间进行研磨减薄，减少减薄晶圆的翘曲。12寸晶圆通常采用Taiko减薄工艺进行背面减薄，经过减薄后的晶圆在背面边缘部分形成Taiko环。

为了保持晶圆边缘的完整性，便于进行后续的切片和封装，还需要对减薄的晶圆进行环切和去环。环切的方式一般有两种：刀片切割和激光切割。刀片切割的效率低，且切割后有残留，因此，激光切割逐渐成为主流的环切方式。

然而，随着晶圆厚度的降低，在去除边缘的Taiko环时，晶圆更容易出现裂纹和碎片等风险。

发明内容

为了解决相关技术中的问题，本申请提供了一种Taiko减薄晶圆的去环方法。

一方面，本申请实施例提供了一种Taiko减薄晶圆的去环方法，该方法包括：

采用Taiko减薄工艺对晶圆背面进行减薄；

调整激光光斑直径至预定值，预定值大于20um；

通过激光切割方式切割晶圆背面的Taiko环。

可选的，调整激光光斑直径至预定值，包括：

通过调整激光切割设备的聚焦镜，令激光光斑直径为预定值。

可选的，调整激光光斑直径至预定值，包括：

通过调整激光切割设备的离焦量，令激光光斑直径为预定值。

可选的，在切割Taiko环时，晶圆背面贴附有保护膜，或，晶圆背面未贴附保护膜。

可选的，当晶圆背面贴附有保护膜时，方法还包括：

利用机械手臂切入保护膜和Taiko环之间，并利用机械手臂将Taiko环从保护膜上取下。

可选的，机械手臂的数量至少为1个。

可选的，经过减薄后，晶圆的厚度为20um-250um。

可选的，调整激光光斑直径至预定值之前，方法还包括：

在晶圆背面进行背面工艺。

本申请技术方案，至少包括如下优点：

通过利用Taiko减薄工艺对晶圆背面进行减薄，调整激光光斑直径至预定值来增大切割道的宽度，再通过激光切割方式切割晶圆背面的Taiko环，解决了目前Taiko环去环工艺容易导致晶圆出现裂纹和碎片的问题；达到了减少去环时导致的裂纹和碎片，提高环切工艺的稳定性的效果。

附图说明

为了更清楚地说明本申请具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本申请的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本申请实施例提供的一种Taiko减薄晶圆的去环方法的流程图；

图2是现有Taiko环经过切割艺后的示意图；