[发明专利]一种三维存储器及其制作方法

权利要求书

1.一种三维存储器的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供一叠层结构，所述叠层结构自下而上依次包括衬底、绝缘层、第一隔离层、牺牲层及第二隔离层；

形成凹槽，所述凹槽在垂直方向上贯穿所述第二隔离层、所述牺牲层、所述第一隔离层及所述绝缘层，并延伸至所述衬底中；

形成上层导电层于所述第二隔离层上，所述上层导电层还覆盖所述凹槽的侧壁与底面。

2.根据权利要求1所述的三维存储器的制作方法，其特征在于，所述制作方法还包括以下步骤：

形成绝缘填充层于所述凹槽中；

形成第一接触部，所述第一接触部在垂直方向上贯穿所述绝缘填充层的顶面。

3.根据权利要求2所述的三维存储器的制作方法，其特征在于：所述第一接触部的底面低于所述第二隔离层的顶面，并高于所述衬底的顶面。

4.根据权利要求2所述的三维存储器的制作方法，其特征在于，所述制作方法还包括以下步骤：

去除所述衬底及所述上层导电层位于所述衬底中的部分以暴露出所述绝缘填充层；

形成背面介质层于所述绝缘层下方，所述背面介质层覆盖所述上层导电层及所述绝缘填充层的底面；

形成第二接触部，所述第二接触部在垂直方向上贯穿所述背面介质层，并延伸进所述绝缘填充层中，所述第二接触部的侧壁与所述上层导电层之间间隔预设距离，所述第二接触部的一端与所述第一接触部连接。

5.根据权利要求1所述的三维存储器的制作方法，其特征在于，所述制作方法还包括以下步骤：

依次形成刻蚀停止层及绝缘填充层于所述凹槽中，所述刻蚀停止层覆盖所述上层导电层的表面；

形成第一接触部，所述第一接触部在垂直方向上贯穿所述绝缘填充层，并延伸进所述凹槽底部的所述刻蚀停止层中。

6.根据权利要求5所述的三维存储器的制作方法，其特征在于，所述叠层结构还包括下层导电层，所述下层导电层位于所述绝缘层与所述第一隔离层之间，所述制作方法还包括以下步骤：

去除所述衬底及所述上层导电层位于所述衬底中的部分以暴露出所述刻蚀停止层；

形成接触孔，所述接触孔在垂直方向上贯穿所述绝缘层，并延伸进所述下层导电层中；

去除所述刻蚀停止层的一部分以暴露出所述第一接触部的底面；

形成第一焊盘与第二焊盘，所述第一焊盘的一部分填充进所述接触孔中以与所述下层导电层电连接，所述第二焊盘与所述第一接触部电连接。

7.根据权利要求6所述的三维存储器的制作方法，其特征在于：还包括形成金属硅化物层于所述接触孔底部的步骤。

8.根据权利要求6所述的三维存储器的制作方法，其特征在于：所述下层导电层的材质包括多晶硅。

9.根据权利要求6所述的三维存储器的制作方法，其特征在于，所述三维存储器包括阵列存储区及位于所述阵列存储区外围的穿硅通孔区域，所述凹槽位于所述穿硅通孔区域，所述制作方法还包括以下步骤：去除所述阵列存储区的所述第一隔离层、所述牺牲层及所述第二隔离层，得到横向间隙，并形成沟道侧面引出层于所述横向间隙中，所述接触孔在水平面上的投影位于所述阵列存储区。

10.根据权利要求9所述的三维存储器的制作方法，其特征在于：所述沟道侧面引出层的材质包括多晶硅。

11.根据权利要求1所述的三维存储器的制作方法，其特征在于：所述牺牲层的材质包括多晶硅，所述上层导电层的材质包括多晶硅。

12.根据权利要求1所述的三维存储器的制作方法，其特征在于：还包括形成堆叠结构及垂直沟道结构的步骤，所述堆叠结构位于所述上层导电层上方并包括在垂直方向上交替堆叠的电介质层与栅线导电层，所述垂直沟道结构在垂直方向上贯穿所述堆叠结构，并延伸进所述下层导电层中。