[发明专利]深紫外发光二极管及其制造方法

权利要求书

1.一种深紫外发光二极管，包括：

外延层，包括第一半导体层、多量子阱层以及第二半导体层，其中，所述外延层中包括第一台阶，所述第一台阶的一个台阶面为所述第二半导体层的表面，所述第一台阶的侧壁为所述多量子阱层和所述第二半导体层的侧壁，所述第一台阶的另一个台阶面为所述第一半导体层的表面；

第一欧姆接触层，与所述第一半导体层接触；

第二欧姆接触层，与所述第二半导体层接触；

反射镜层，位于所述第二欧姆接触层上；

键合层，与所述第一欧姆接触层接触；

介质层，覆盖所述第一台阶、所述第二欧姆接触层和所述反射镜层的侧壁，分隔所述键合层与所述外延层、所述第二欧姆接触层和所述反射镜层；

第三台阶，所述第三台阶的侧壁包括所述第一半导体层、所述多量子阱层、所述第二半导体层以及所述第二欧姆接触层的侧壁，所述第三台阶的侧壁是出光面，所述第三台阶用于增大出光效率。

2.根据权利要求1所述的深紫外发光二极管，其中，所述第一台阶的侧壁为粗化表面。

3.根据权利要求2所述的深紫外发光二极管，其中，所述第一台阶的侧壁形成有凹凸结构。

4.根据权利要求3所述的深紫外发光二极管，其中，所述凹凸结构为凸起结构或者凹陷结构。

5.根据权利要求4所述的深紫外发光二极管，其中，所述凸起结构或所述凹陷结构的形状为三角形、圆形、梯形或具有凸起或凹陷特征的规则图案中的任意一种或几种。

6.根据权利要求1所述的深紫外发光二极管，其中，所述第一台阶包括多个，多个所述第一台阶呈阵列式均匀分布。

7.根据权利要求6所述的深紫外发光二极管，其中，所述第一台阶包括所述多量子阱层和所述第二半导体层组成的凸台，多个所述凸台相互分隔。

8.根据权利要求6所述的深紫外发光二极管，其中，所述第一台阶包括贯穿所述多量子阱层和所述第二半导体层的通孔，多个所述通孔相互分隔。

9.根据权利要求7所述的深紫外发光二极管，其中，所述凸台的形状为圆台、正多边形棱台或其他多边形棱台中的任意一种。

10.根据权利要求8所述的深紫外发光二极管，其中，所述通孔的形状为圆台、正多边形棱台或其他多边形棱台中的任意一种。

11.根据权利要求1所述的深紫外发光二极管，其中，所述第一台阶的侧壁倾角为30°～60°。

12.根据权利要求1所述的深紫外发光二极管，其中，所述多量子阱层的面积占衬底面积的50％～85％。

13.根据权利要求1所述的深紫外发光二极管，其中，还包括：

第二衬底，所述第二衬底位于所述第二半导体层的一侧，所述第二欧姆接触层位于所述第二半导体层与所述第二衬底之间。

14.根据权利要求13所述的深紫外发光二极管，其中，所述第二衬底通过所述键合层与所述第一欧姆接触层电连接，所述第二衬底为第一电极，所述第一电极为N电极。

15.根据权利要求14所述的深紫外发光二极管，其中，还包括：

位于第三台阶区域的第二电极，所述第三台阶贯穿所述第一半导体层、所述多量子阱层、所述第二半导体层和所述第二欧姆接触层，并暴露所述反射镜层的表面，所述第二电极位于所述反射镜层的表面，所述第二电极为P电极。

16.根据权利要求13所述的深紫外发光二极管，其中，所述第一半导体层远离所述第二衬底的一侧表面为粗化表面。