[发明专利]一种半导体结构的制造方法在审
| 申请号： | 202011283775.6 | 申请日： | 2020-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN112103347A | 公开（公告）日： | 2020-12-18 |
| 发明（设计）人： | 蔡君正;周儒领;许宗能;吴佳特;许玉媛 | 申请（专利权）人： | 晶芯成（北京）科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/06 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 林凡燕 |
| 地址： | 102199 北京市大兴区经济技术开发*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 结构 制造 方法 | ||
1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括：
提供一衬底，所述衬底包括高压区和低压区；
形成牺牲氧化层和牺牲氮化层于所述衬底上，所述牺牲氧化层覆盖所述高压区和所述低压区，所述牺牲氮化层覆盖所述牺牲氧化层；
形成图案化的光阻层于所述牺牲氮化层上，所述图案化的光阻层暴露出位于所述高压区上的所述牺牲氮化层；
以所述图案化的光阻层为掩模，对所述高压区的所述牺牲氮化层、所述牺牲氧化层和部分所述衬底进行刻蚀，以于所述高压区内形成凹部；
形成高压氧化层于所述凹部内，所述高压氧化层与所述低压区上的所述牺牲氧化层平齐，且所述高压氧化层的厚度大于所述牺牲氧化层的厚度；
移除所述低压区上的所述牺牲氮化层；
形成介质层于所述高压区和所述低压区上，所述介质层的厚度大于所述牺牲氮化层的厚度；
形成先进图案化层于所述介质层上，以及形成覆盖层于所述先进图案化层上；
形成至少一浅沟槽隔离结构于所述衬底中，以隔开所述高压区和所述低压区。
2.根据权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，使用磷酸溶液刻蚀所述高压区的所述牺牲氮化层，并使用氢氟酸溶液刻蚀所述高压区的所述牺牲氧化层。
3.根据权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，使用离子刻蚀所述高压区的所述衬底，以于所述高压区内形成预定深度的所述凹部。
4.根据权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，使用热氧化法于所述高压区的所述衬底中形成预定深度的氧化硅，并使用氢氟酸溶液刻蚀所述氧化硅，以于所述高压区内形成预定深度的所述凹部。
5.根据权利要求3或4所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述凹部的预定深度D= H-H/k-h；
其中，H为所述高压氧化层的厚度；
h为所述牺牲氧化层的厚度；
k为氧化物对所述衬底的选择比。
6.根据权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述牺牲氧化层的厚度为90～130A，所述牺牲氮化层的厚度为400～1000A。
7.根据权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述高压氧化层的厚度为800～2000A。
8.根据权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述介质层为氮化硅层，厚度为400～1000A。
9.根据权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述浅沟槽隔离结构中浅沟槽的深度为2000～4000A，刻蚀后检测关键尺寸为600～1200A。
10.根据权利要求1～9任意一项所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述衬底上还包括：
中压区，位于所述低压区和所述高压区之间；
存储区，位于所述低压区和所述中压区之间。
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