[发明专利]用于清洗经历抛光的硅片的清洗装置、方法及相关设备在审
申请号: | 202011284131.9 | 申请日: | 2020-11-17 |
公开(公告)号: | CN112103224A | 公开(公告)日: | 2020-12-18 |
发明(设计)人: | 白宗权 | 申请(专利权)人: | 西安奕斯伟硅片技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/02 |
代理公司: | 西安维英格知识产权代理事务所(普通合伙) 61253 | 代理人: | 姚勇政;王渝 |
地址: | 710065 陕西*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 清洗 经历 抛光 硅片 装置 方法 相关 设备 | ||
1.一种用于清洗经历抛光的硅片的清洗装置,其特征在于,所述清洗装置包括承载单元、清洗液供应单元和清洗液喷射单元,其中,
所述承载单元用于对所述硅片进行承载,
所述清洗液供应单元用于将清洗液供应至所述清洗液喷射单元,
所述清洗液喷射单元设置在与所述承载单元承载的硅片相对的位置处以将所述清洗液供应单元供应的清洗液喷射至所述硅片,
其中,所述清洗液包括酸性液和碱性液,并且所述清洗液供应单元构造成将所述酸性液和所述碱性液以交替的方式反复供应至所述清洗液喷射单元。
2.根据权利要求1所述的清洗装置,其特征在于,所述清洗液喷射单元包括第一清洗液喷嘴和第二清洗液喷嘴,所述第一清洗液喷嘴设置在与所述硅片的第一圆形主表面相对的位置处以将清洗液喷射至所述硅片的所述第一圆形主表面,所述第二清洗液喷嘴设置在与所述硅片的第二圆形主表面相对的位置处以将清洗液喷射至所述硅片的所述第二圆形主表面。
3.根据权利要求2所述的清洗装置,其特征在于,所述第一清洗液喷嘴和所述第二清洗液喷嘴将所述清洗液以散射的方式喷射出,以将所述清洗液喷射至整个所述第一圆形主表面和整个所述第二圆形主表面。
4.根据权利要求1或2所述的清洗装置,其特征在于,所述清洗装置还包括旋转载台,所述承载单元设置在所述旋转载台上以与所述旋转载台一起相对于所述清洗液喷射单元旋转。
5.根据权利要求1或2所述的清洗装置,其特征在于,所述清洗液还包括漂清液,并且所述清洗液供应单元还构造成在每次将所述酸性液供应至所述清洗液喷射单元之后以及在每次将所述碱性液供应至所述清洗液喷射单元之后将所述漂清液供应至所述清洗液喷射单元。
6.根据权利要求1或2所述的清洗装置,其特征在于,所述清洗液还包括强氧化性液,并且所述清洗液供应单元还构造成在将所述酸性液和所述碱性液以交替的方式反复供应至所述清洗液喷射单元之前将所述强氧化性液供应至所述清洗液喷射单元。
7.根据权利要求1或2所述的清洗装置,其特征在于,所述清洗装置还包括惰性气体供应单元和惰性气体喷射单元,所述惰性气体供应单元用于将惰性气体供应至所述惰性气体喷射单元,所述惰性气体喷射单元用于将所述惰性气体供应单元供应的惰性气体喷射至所述硅片以对所述硅片进行干燥。
8.根据权利要求1或2所述的清洗装置,其特征在于,所述承载单元包括分别能够独立地承载所述硅片的第一承载机构和第二承载机构,其中,所述第一承载机构通过与所述硅片的第一部位接触对所述硅片进行承载,所述第二承载机构通过与所述硅片的第二部位接触对所述硅片进行承载。
9.一种用于清洗经历抛光的硅片的方法,其特征在于,包括:
对所述硅片进行承载;
供应清洗液,其中,所述清洗液包括酸性液和碱性液;
将所述酸性液和所述碱性液以交替的方式反复喷射至所述硅片。
10.一种用于处理硅片的设备,其特征在于,包括:
根据权利要求1-8中任一项所述的清洗装置;
用于对硅片进行抛光的抛光装置;
设置在所述抛光装置与所述清洗装置之间的传载装置,所述传载装置用于将被所述抛光装置抛光的硅片传载至所述清洗装置以对所述硅片进行清洗。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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