[发明专利]一种具有高导电率的铜基复合材料的制备方法在审
申请号: | 202011284288.1 | 申请日: | 2020-11-17 |
公开(公告)号: | CN112342596A | 公开(公告)日: | 2021-02-09 |
发明(设计)人: | 陶静梅;张贺;易健宏;刘意春;鲍瑞;李凤仙;李才巨;游昕;谈松林 | 申请(专利权)人: | 昆明理工大学 |
主分类号: | C25D15/02 | 分类号: | C25D15/02;C25D3/38;C25D5/48;C25D5/50 |
代理公司: | 昆明同聚专利代理有限公司 53214 | 代理人: | 王远同 |
地址: | 650000 云*** | 国省代码: | 云南;53 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 具有 导电 复合材料 制备 方法 | ||
1.一种具有高导电率的铜基复合材料的制备方法,其特征在于,具体包括以下步骤:
(1)镀层的制备:将碳纳米管均匀地分散在硫酸铜溶液中,在镀液中加入H2SO4调节pH值,以金属板为阳极另一种金属板为阴极,通过对复合溶液中通入电流,使碳纳米管和铜离子共同沉积到阴极基板上;在电镀过程中,对镀液进行机械搅拌,保持溶液的分散性;电沉积结束,放入干燥箱内干燥后取出,将镀层从阴极极板上取下;
(2)镀层的还原:在氮氢混合气氛下对镀层进行加热,在还原的同时消除内应力;
(3)镀层的烧结:采用放电等离子烧结工艺对镀层进行烧结得到致密的块体,烧结结束后对样品进行打磨。
2.根据权利要求1所述具有高导电率的铜基复合材料的制备方法,其特征在于:步骤(1)中阳极用磷铜合金,阴极为钛板。
3.根据权利要求1或2所述具有高导电率的铜基复合材料的制备方法,其特征在于:步骤(1)中硫酸铜溶液的浓度为0.64mol/L,碳纳米管的加入量为10~20g/L。
4.根据权利要求3所述具有高导电率的铜基复合材料的制备方法,其特征在于:步骤(1)中电镀过程的电流密度为0.5A•dm-2~4A•dm-2,电沉积时间为5~10h,pH值为1~7。
5.根据权利要求1所述具有高导电率的铜基复合材料的制备方法,其特征在于:步骤(2)中还原温度为100~350℃,还原时间1~6h。
6.根据权利要求4所述具有高导电率的铜基复合材料的制备方法,其特征在于:步骤(3)中放电等离子烧结的条件为:烧结温度为500~800℃,烧结气压为10~50MPa烧结工艺处理10~120分钟。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于昆明理工大学,未经昆明理工大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202011284288.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。