[发明专利]一种GaN基紫外探测器及其制作方法

权利要求书

1.一种GaN基紫外探测器的制作方法，其特征在于，包括：

一、提供衬底，所述衬底设有多条梯形条和多条梯形槽，所述梯形条和梯形槽交替设置形成阵列结构，所述梯形条的上表面设有保护层；

二、在梯形槽内形成吸收晶体层，所述吸收晶体层由GaN制成，其中，每个梯形槽内设有隔离槽，所述隔离槽将梯形槽内的吸收晶体层分开成两个；

三、在吸收晶体层上形成电极，所述电极与所有吸收晶体层形成导电连接；

所述衬底为硅衬底，所述梯形槽的正面为硅衬底的100晶面，所述梯形条的侧面为硅衬底的111晶面，所述吸收晶体层在硅衬底的100晶面上形成；

所述吸收晶体层的制备方法包括：

(21)、采用MOCVD或HVPE法在梯形槽内沉积形成吸收晶体层；

(22)对步骤(21)形成的吸收晶体层进行蚀刻，刻蚀至衬底的表面形成所述隔离槽，以将梯形槽内的吸收晶体层分开成两个。

2.如权利要求1所述的GaN基紫外探测器的制作方法，其特征在于，所述梯形槽的底部宽度为13～23μm，所述梯形条和梯形槽的总宽度为30～70μm。

3.如权利要求1所述的GaN基紫外探测器的制作方法，其特征在于，所述梯形条的侧面与所述梯形槽的正面的夹角角度为125°～145°。

4.如权利要求1所述的GaN基紫外探测器的制作方法，其特征在于，步骤(21)中，采用MOCVD沈积法在梯形槽内形成吸收晶体层，其中，

在压力为500～600torr，温度为900～1100℃，生长速度小于2μm/HR的条件下，形成所述吸收晶体层。

5.如权利要求1所述的GaN基紫外探测器的制作方法，其特征在于，所述隔离槽的宽度为5μm以上；

所述吸收晶体层比梯形条高0.5～1.5μm。

6.如权利要求1所述的GaN基紫外探测器的制作方法，其特征在于，所述电极为金属叠层结构，包括镍层和金层；其中，所述镍层的厚度为5～20nm，所述金层的厚度为7～30nm；

所述保护层由绝缘材料制成，厚度为0.6～1μm。

7.如权利要求1所述的GaN基紫外探测器的制作方法，其特征在于，GaN基紫外探测器的光敏面积为0.1～0.4mm²，响应波段为250～350nm，峰值响应度不低于500A/W，暗电流小于1.0nA(1V)。

8.一种GaN基紫外探测器，其特征在于，其由权利要求1～7任一项所述的制作方法制得，包括衬底、吸收晶体层和电极，其中，所述衬底设有多条梯形条和多条梯形槽，所述梯形条和梯形槽交替设置形成阵列结构，所述梯形条的上表面设有保护层；每个梯形槽内设有隔离槽和两个吸收晶体层，所述隔离槽将两个吸收晶体层隔开；所述电极设置在吸收晶体层上，并与所有吸收晶体层形成导电连接。