[发明专利]用于电致变色装置的反电极在审
申请号: | 202011285041.1 | 申请日: | 2015-09-01 |
公开(公告)号: | CN112327556A | 公开(公告)日: | 2021-02-05 |
发明(设计)人: | 丹恩·吉拉斯皮耶;安舒·A·普拉丹;斯里达尔·K·凯拉萨姆 | 申请(专利权)人: | 唯景公司 |
主分类号: | G02F1/155 | 分类号: | G02F1/155;G02F1/153 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 沈鹏 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 变色 装置 电极 | ||
1.一种制作电致变色装置的方法,所述方法包括:
(a)形成包括氧化钨的电致变色层或者包括镍-钨-锡-氧化物(NiWSnO)的对电极层,
其中在(a)中形成的所述电致变色层或所述对电极层分别包括包含富氧氧化钨或富氧NiWSnO的富氧部分;
(b)在(a)中形成的所述电致变色层或所述对电极层上直接形成包含所述氧化钨的所述电致变色层和包含所述NiWSnO的所述对电极层中的另一个,而无需首先在所述电致变色层和所述对电极层之间提供离子导电绝缘层;和
(c)将所述富氧氧化钨或所述富氧NiWSnO中的至少一部分转化为基本上离子导电和基本上电子绝缘的材料。
2.如权利要求1所述的方法,其中所述电致变色层沉积在(a)中并包含所述富氧氧化钨,且其中所述对电极层与所述富氧氧化钨直接接触沉积在(b)中。
3.如权利要求2所述的方法,其中(c)包括将至少一部分的富氧氧化钨转化成基本上离子导电和基本上电子绝缘的所述材料。
4.如权利要求1所述的方法,其中所述对电极层沉积在(a)中并包含所述富氧NiWSnO,并且其中所述电致变色层与所述富氧NiWSnO直接接触沉积在(b)中。
5.如权利要求4所述的方法,其中(c)包括将至少一部分的所述富氧NiWSnO转化成基本上离子导电和基本上电子绝缘的所述材料。
6.如权利要求1所述的方法,其中(a)中形成的所述电致变色层或所述对电极层的所述富氧部分作为在(a)中形成的所述电致变色层或所述对电极层内的不同的富氧子层而提供。
7.如权利要求1所述的方法,其中(a)中形成的所述电致变色层或所述对电极层的所述富氧部分在分级层中提供。
8.如权利要求7所述的方法,其中所述分级层包括在正交于所述电致变色层和所述对电极层的表面的方向上的氧浓度梯度。
9.如权利要求1所述的方法,其中所述电致变色层掺杂有钼、钛和钒中的一者或多者。
10.一种用于制作电致变色叠层的整合沉积系统,所述整合沉积系统包括:
多个沉积站,所述多个沉积站连续地对齐和互连并且可操作以将衬底从一个站传送至下一个站,而不会使所述衬底暴露于外部环境,
其中所述多个沉积站包括
(i)第一沉积站,所述第一沉积站含有用于沉积阴极着色层的第一一个或多个材料源;
(ii)第二沉积站,所述第二沉积站含有用于沉积包含镍-钨-锡-氧化物(NiWSnO)的阳极着色层的第二一个或多个材料源;以及
控制器,所述控制器包含用于以在所述衬底上彼此直接接触地沉积(i)所述阴极着色层和(ii)所述阳极着色层的方式将所述衬底传送通过所述多个沉积站的程序指令。
11.如权利要求10所述的整合沉积系统,其中所述NiWSnO包含1:1与4:1之间的Ni:(W+Sn)原子比。
12.如权利要求11所述的整合沉积系统,其中所述NiWSnO包含1:1与3:1之间的Ni:(W+Sn)原子比。
13.如权利要求12所述的整合沉积系统,其中所述NiWSnO包含1.5:1与2.5:1之间的Ni:(W+Sn)原子比。
14.如权利要求13所述的整合沉积系统,其中所述NiWSnO包含2:1与2.5:1之间的Ni:(W+Sn)原子比。
15.如权利要求10所述的整合沉积系统,其中所述NiWSnO包含1:1与3:1之间的W:Sn原子比。
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