[发明专利]一种适用于高频、宽带声表面波器件的异质层状压电基底

权利要求书

1.一种适用于高频、宽带声表面波器件的异质层状压电基底，其特征在于，利用水平剪切型漏声表面波，其包括依次排列的叉指换能器、压电薄膜层、布拉格反射层以及衬底层；

所述压电薄膜层为掺钪氮化铝薄膜，所述掺钪氮化铝薄膜的欧拉角设置为(0°±5°、θ、ψ)时，θ和ψ分别满足以下条件：

50°≤θ≤90°，40°≤ψ≤80°。

2.根据权利要求1所述的一种适用于高频、宽带声表面波器件的异质层状压电基底，其特征在于，所述掺钪氮化铝薄膜中钪的掺杂摩尔百分比为0～40％；

所述掺钪氮化铝薄膜的厚度范围为0.1λ～λ，λ为声表面波波长。

3.根据权利要求2所述的一种适用于高频、宽带声表面波器件的异质层状压电基底，其特征在于，所述掺钪氮化铝薄膜的厚度为0.1λ～0.4λ。

4.根据权利要求1所述的一种适用于高频、宽带声表面波器件的异质层状压电基底，其特征在于，所述压电薄膜层与衬底层之间层叠有n层布拉格反射层，n≥1；

所述布拉格反射层是由低声阻抗层覆盖在高声阻抗层上形成的，所述低声阻抗层的声速小于高声阻抗层的声速，同一布拉格反射层中低声阻抗层相比于高声阻抗层更靠近压电薄膜层。

5.根据权利要求4所述的一种适用于高频、宽带声表面波器件的异质层状压电基底，其特征在于，所述低声阻抗层为SiO₂膜、SiON膜或Ta₂O₅膜；所述高声阻抗层为AlN膜、Sapphire膜、SiN膜、Mo膜或Pt膜。

6.根据权利要求5所述的一种适用于高频、宽带声表面波器件的异质层状压电基底，其特征在于，所述低声阻抗层为SiO₂膜，所述SiO₂膜的厚度范围为0.1λ～λ，λ为声表面波波长。

7.根据权利要求6所述的一种适用于高频、宽带声表面波器件的异质层状压电基底，其特征在于，所述SiO₂膜的厚度为0.1λ～0.5λ。

8.根据权利要求5所述的一种适用于高频、宽带声表面波器件的异质层状压电基底，其特征在于，所述高声阻抗层为AlN膜，所述AlN膜的厚度范围为0.1λ～λ，λ为声表面波波长。

9.根据权利要求1所述的一种适用于高频、宽带声表面波器件的异质层状压电基底，其特征在于，所述衬底层为硅衬底。