[发明专利]空气孔光子晶体结构被动辐射冷却薄膜及其制备方法

权利要求书

1. 一种空气孔光子晶体结构被动辐射冷却薄膜，其特征在于，所述薄膜由厚度为70μm以上的聚二甲基硅氧烷（1）材质构成，在所述聚二甲基硅氧烷（1）内具有蜂窝状排列的空气孔（2）；所述空气孔（2）的层数大于三层，直径为1 μm～5 μm。

2.一种空气孔光子晶体结构被动辐射冷却薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1：在基底上通过涂布和退火工艺制备聚苯乙烯小球光子晶体结构；

S2：在所述聚苯乙烯小球光子晶体结构上涂布聚二甲基硅氧烷；

S3：在真空条件下通过退火工艺固化所述聚二甲基硅氧烷；

S4：在空气中通过二次退火工艺去除所述聚苯乙烯小球光子晶体结构；

S5：脱模后获得空气孔光子晶体结构被动辐射冷却薄膜。

3.根据权利要求2所述的空气孔光子晶体结构被动辐射冷却薄膜的制备方法，其特征在于：在所述S1中，所述基底的材质为硅或石英。

4.根据权利要求2所述的空气孔光子晶体结构被动辐射冷却薄膜的制备方法，其特征在于：在所述S1中，所述退火工艺的温度为50℃-60℃，时间为1-2小时。

5.根据权利要求2所述的空气孔光子晶体结构被动辐射冷却薄膜的制备方法，其特征在于：在所述S2中，所述聚二甲基硅氧烷是由聚二甲基硅氧烷与固化剂按照9~10:1的重量比混合得到的液体。

6.根据权利要求2所述的空气孔光子晶体结构被动辐射冷却薄膜的制备方法，其特征在于：在所述S3中，所述退火工艺的温度为60℃-70℃，时间为1-3小时。

7.根据权利要求2所述的空气孔光子晶体结构被动辐射冷却薄膜的制备方法，其特征在于：在所述S4中，所述二次退火工艺的温度为150℃-210℃，时间为4-7小时。

8.根据权利要求2至7中任意一项所述的空气孔光子晶体结构被动辐射冷却薄膜的制备方法，其特征在于，在所述S1中，所述聚苯乙烯小球光子晶体结构的层数大于3层。

9. 根据权利要求2至7中任意一项所述的空气孔光子晶体结构被动辐射冷却薄膜的制备方法，其特征在于，在所述S1中，所述聚苯乙烯小球光子晶体结构的晶体直径为1 μm～5μm。

10. 根据权利要求2至7中任意一项所述的空气孔光子晶体结构被动辐射冷却薄膜的制备方法，其特征在于，在所述S8中，所述空气孔光子晶体结构被动辐射冷却薄膜的整体厚度在70 μm以上。