[发明专利]半导体压模制程的洒粉装置及其洒粉方法

说明书

本发明提供一种半导体压模制程的洒粉装置及其洒粉方法，其中该洒粉装置包含二并排的第一洒粉管及第二洒粉管；其中该第一洒粉管末端底部具有一第一开口，该第一开口由一第一闸门所控制，该第二洒粉管末端底部具有一第二开口，该第二开口由一第二闸门所控制，当该第一洒粉管与该第二洒粉管内填充不同塑料颗粒，可通过分时控制该第一洒粉管的第一开口及该第二洒粉管的第二开口开启、关闭，洒出不同塑料颗粒，满足压模制程特殊需求。

技术领域

本发明有关于一种半导体压模制程，尤其有关于一种半导体压模制程的洒粉装置及其洒粉方法。

背景技术

半导体封装经常使用的材料有塑料、陶瓷、玻璃及金属等材料，皆是为了达到保护芯片、缓冲应力、辅助散热及标准化等目的，其中塑料相较于其他材料的优点在于低成本、制程简单及适合自动化等，而根据其压模成型的不同又分为注塑成型(Transfer molding)及压缩成型(Compression molding)两种成型方法，其中该塑料通常为环氧成型模料(Epoxy Molding Compound；EMC)。

请参阅图5A所示，其为现有技术的注塑成型模具30运作示意图，首先将芯片34放置于下模具32内，再盖合上模具31以构成一模穴33，接着将固态的柱状塑料35热熔，以推杆36推挤热熔塑料35填满整个模穴33，如图5B所示，塑料35可顺利包覆芯片34于其中。然而，注塑成型模具30的模穴33尺寸被上模具31以及下模具32限制而无法变动，无法满足轻薄化封装需求，因此注塑成型技术在缩小封装尺寸需求时代中逐渐被压缩成型技术所取代。

请参阅图6A所示，其为现有技术的压缩成型模具40运作示意图，将芯片44固定于上模具41，于下模具42放置一压合膜43，该压合膜43上已预先使用洒粉装置(图中未示出)洒出一塑料颗粒层45，接着以下模具42向上推该压合膜43达一深度，再将该塑料颗粒层45热熔，最后将下模具42上推朝向该上模具41移动，使热熔后的塑料颗粒层45包覆芯片44，如图6B所示；因此，压缩成型技术可藉由控制洒布在该压合膜43上塑料颗粒层45的厚度，以及上推压合膜43的深度来决定封装尺寸，以满足不同尺寸封装需求。

然而在现有技术的半导体压模制程的压缩成型中，只能使用单一种塑料颗粒，无法满足特殊制程需求，例如：需要高流动的塑料解决导线偏移(wire sweep)，却导致在下模具压合过程中产生溢胶的情形；因此，有必要进一步改良现有技术的半导体压模制程的压缩成型制程。

发明内容

有鉴于上述现有技术的半导体压模制程的压缩成型技术无法于单一制程中使用不同塑料，来满足制程特殊需求的问题，本发明的主要目的在于提供一种半导体压模制程的洒粉装置及其洒粉方法，以满足特殊制程需求。

为了实现上述目的，本发明提供了一种半导体压模制程的洒粉装置，其包含：

一第一洒粉管，该第一洒粉管的末端底面具有一第一开口；

一第一闸门，设置在该第一洒粉管并对应该第一开口，以控制该第一开口开启或关闭；

一第二洒粉管，与该第一洒粉管并排设置，该第二洒粉管的末端底面具有一第二开口；以及

一第二闸门，设置在该第二洒粉管并对应该第二开口，以控制该第二开口开启或关闭。

本发明的优点在于，上述本发明的半导体压模制程的洒粉装置主要包含二个并排的第一洒粉管与第二洒粉管，通过填充不同塑料颗粒与分时控制该第一开口与该第二开口开启、关闭，可洒出不同塑料颗粒，以满足压模制程特殊需求。

为了实现上述目的，本发明还提供了一种半导体压模制程的洒粉方法，其包含如下步骤：

a.提供一压合膜，并对应该压合膜的表面设定一第一洒粉轨迹及一第二洒粉轨迹，其中该第一洒粉轨迹的起始坐标对应该第一洒粉管的第一开口位置，该第二洒粉轨迹的起始坐标对应该第二洒粉管的第二开口位置，并于该该第一洒粉管及该第二洒粉管填装塑料颗粒；