[发明专利]一种副边PWM整流多路输出电路在审
申请号: | 202011287711.3 | 申请日: | 2020-11-17 |
公开(公告)号: | CN112436734A | 公开(公告)日: | 2021-03-02 |
发明(设计)人: | 张海宝 | 申请(专利权)人: | 天津津航计算技术研究所 |
主分类号: | H02M3/335 | 分类号: | H02M3/335 |
代理公司: | 中国兵器工业集团公司专利中心 11011 | 代理人: | 刘二格 |
地址: | 300308 天津*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 pwm 整流 输出 电路 | ||
1.一种副边PWM整流多路输出电路,其特征在于包括:逆变控制电路、隔离变换电路和去磁电路、副边PWM调制电路,逆变控制电路输入端连接外部输入直流电源,将输入直流电源变换为高频的交流电源;隔离变换电路和去磁电路采用正激的拓扑结构,隔离变换电路包括隔离变压器,隔离变压器在原边绕组输入电压为高电平时同时向次级多个绕组传送能量,次级绕组输出与原边绕组电压波形一致的电压;多路副边PWM调制电路,分别连接隔离变换电路,根据输出电压幅值对变压器副边输出电压波形进行二次斩波。
2.如权利要求1所述的副边PWM整流多路输出电路,其特征在于,所述隔离变压器原边输入逆变控制电路,由逆变控制电路提供一个固定占空比的信号,用于对隔离变压器中的MOS管进行高频开关控制,将直流输入电源变换为高频的交流电源。
3.如权利要求2所述的副边PWM整流多路输出电路,其特征在于,所述隔离变压器副边设置多个相同的PWM调制电路,每个副边PWM调制电路由两个整流MOS管反串构成,整流MOS管的PWM控制信号上升沿保持与变压器副边绕组输出电压波形的上升沿一致,频率与变压器原边MOS管开关信号频率一致。
4.如权利要求3所述的副边PWM整流多路输出电路,其特征在于,所述逆变控制电路包括N沟道MOS管Q1,负责隔离变压器原边绕组的开通和关断,其栅极连接至一个产生固定50%占空比固定频率控制信号的发生电路,将输入到隔离变压器原边绕组的直流电源转换为固定50%占空比固定频率的交流电源。
5.如权利要求4所述的副边PWM整流多路输出电路,其特征在于,所述PWM调制电路还包括PWM控制电路,PWM控制电路输出电压值与预设电压进行差分放大,根据误差放大器的输出电压调整副边整流的PWM控制信号占空比大小,当输出电压高于预设电压时,误差放大器输出电压变低,副边整流的PWM控制信号占空比变小,流过电感的电流变小,输出电压变低;当输出电压低于预设电压时,误差放大器输出电压变高,副边整流的PWM控制信号占空比变大,流过电感的电流变大,输出电压变高。
6.如权利要求5所述的副边PWM整流多路输出电路,其特征在于,所述隔离变压器选用铁氧体隔离变压器。
7.如权利要求6所述的副边PWM整流多路输出电路,其特征在于,每个所述PWM调制电路中,包括整流MOS管Q2、整流MOS管Q3、二极管D2、电感L1、电容C1;整流MOS管Q2、整流MOS管Q3反串连接,整流MOS管Q2发射极、整流MOS管Q3发射极同时连接至PWM控制电路的一个输入端,整流MOS管Q2基极、整流MOS管Q3基极同时连接至PWM控制电路的另一个输入端,整流MOS管Q2集电极连接隔离变压器副边一个绕组的一端,整流MOS管Q3集电极连接二极管D2负极、电感L1一端,二极管D2负极连接隔离变压器副边一个绕组的另一端和接地端,电感L1一端连接PWM控制电路的输出端作为电压输出端,电压输出端和接地端之间连接电容C1。
8.如权利要求7所述的副边PWM整流多路输出电路,其特征在于,每个所述PWM控制电路监测到变压器副边绕组输出电压的上升沿后,同步开启整流MOS管Q2、整流MOS管Q3,根据PWM信号的占空比大小来控制整流MOS管的关断时刻,整流MOS管一个周期中开启的最大时间不超过变压器副边绕组输出高电平的时间。
9.如权利要求8所述的副边PWM整流多路输出电路,其特征在于,当所述MOS管Q1关断后,隔离变压器中设置的磁复位绕组通过向输入电源回馈能量来实现磁复位,为变压器的下一个工作周期最好准备。
10.如权利要求1-9中任一项所述的副边PWM整流多路输出电路在DC/DC电源变换器技术领域中的应用。
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