[发明专利]一种PCB铝基板孔内金属层与非金属层同步金属化的方法有效

专利信息
申请号: 202011288123.1 申请日: 2020-11-17
公开(公告)号: CN112469209B 公开(公告)日: 2021-10-26
发明(设计)人: 张亚锋;夏国伟;潘湛昌;陈涛;王斌;赵启祥;胡光辉;王辉;施世坤;崔子雅 申请(专利权)人: 胜宏科技(惠州)股份有限公司;广东工业大学
主分类号: H05K3/42 分类号: H05K3/42
代理公司: 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 代理人: 谭映华
地址: 516211 广东省*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 pcb 铝基板孔内 金属 非金属 同步 金属化 方法
【说明书】:

本发明提供了一种PCB铝基板孔内金属层与非金属层同步金属化的方法,所述方法依次包括以下步骤:除油处理、蚀刻、硅烷化、烘烤固化、活化和镀镍;所述硅烷化处理所用的硅烷液包括质量比为1~5:0.1~10:0.1~1的硅烷偶联剂、稳定剂和促进剂。本发明可以实现孔内金属层与非金属层同步金属化,并且可以解决孔内的漏镀问题,得到结构致密均匀的镍镀层。本发明无需进行胶体钯活化和解胶工序,简化了生产工艺,并且对铝基板的腐蚀较小,利用该方法获得的孔金属化镀层具有平整性好、结合力好等特点,适合于工业大规模稳定生产。

技术领域

本发明涉及印制线路板领域,具体地,涉及一种PCB铝基板孔内金属层与非金属层同步金属化的方法。

背景技术

PCB线路板又称印刷电路板,是电子元器件电气连接的提供者。印制电路板从单层板发展到双面板、多层板和挠性板,并不断地向高精度、高密度和高可靠性方向发展,不断缩小体积、减少成本、提高性能,使得印制电路板在未来电子产品的发展过程中,仍然保持强大的生命力。随着电子产品向轻、薄、小、高密度、多功能化发展,印制板上元件组装密度和集成度越来越高,使用功率消耗越来越大,对PCB基板的散热性要求越来越迫切,如果PCB基板的散热性不好,就会导致电路板上元器件过热而影响整机性能。

铝基板作为一种独特的金属基覆铜板,具有良好的导热性、电气绝缘性、高耐压性、耐弯曲加工性和耐机械加工性等,被广泛用于航空电子、汽车、通讯、医疗、音响等行业。但铝元素是较活泼的金属元素之一,标准电极电位低,在空气中易氧化生成疏松状氧化膜,抗腐蚀性能差,硬度低,耐磨性差。在PCB铝基板加工过程中,由于金属铝的活性较大,若直接沉铜,沉铜液为强碱性溶液,会与铝基材发生反应,导致无法沉铜成功。在我们的研究工作中,发明专利CN109898115A的技术方案已经成功解决了上述问题,可以选择化学镀镍对铝合金进行金属化,然后再进行沉铜。

然而,由于PCB铝基板的结构是:环氧树脂-铝合金-环氧树脂,这样铝基板孔内就会同时存在环氧树脂层和铝合金层,即非金属层与金属层。常规铝合金金属化处理采用的是浸锌法,利用锌层与化学镀镍液中的镍离子发生置换,从而进行化学镀镍,得到镀镍层,但是该方法在树脂上无法实现化学反应,故而在树脂上无法完成金属化,即不能实现金属层和非金属层同步金属化。发明专利CN109898115A采用的是离子钯活化液对基材进行活化处理,可以很好的解决铝合金层的金属化问题,但是对于环氧树脂的非金属层,在活化时,因其无法吸附离子钯活化液,故而无法实现化学镀镍,因此,无法做到PCB铝基板孔内金属层与非金属层的同步金属化,这就会对孔壁后续镀层的结合力产生严重影响。

对于常规PCB基板而言,如FR-4覆铜板,其孔金属化工艺是:除油→孔壁调整→粗化→预浸→胶体钯活化→解胶→化学沉铜,但该工艺不适合用于PCB铝基板孔金属化,主要原因有:胶体钯活化是在酸性环境中进行的,当PCB铝基板放入活化液中,孔内的非金属层(环氧树脂)表面可以吸附钯胶体,但是金属层(铝合金)的标准电极电位低,在酸性中极易发生反应,这样就会导致得到的钯层疏松,从而在后续的金属化过程中会影响镀层性能;其次,在胶体钯活化后,还需要进行解胶处理,若解胶不完全,则具有催化活性的钯层不会裸露出来,从而导致漏镀现象,并且解胶液一般为酸或碱,这也会对铝层造成腐蚀,从而对后续金属化镀层结合力造成影响;最后,该工艺工序繁琐,且大部分步骤都是在强酸或碱性环境下反应,对铝合金层造成过度的蚀刻,使铝层出现不平整的情况,进而导致后续镀层的不平整问题,不利于大规模生产。

综上所述,至今还没有一种实现PCB铝基板孔金属化的方法,常规基板的孔金属化工艺存在诸多缺点,且工艺繁琐,无法满足现如今的企业要求。因此,研究开发出适用于工业大规模生产、工艺简单、环保型等要求的PCB铝基板孔内金属层与非金属层同步金属化技术成为本领域研究重点。

发明内容

为了克服现有技术中存在的工艺繁琐、漏镀、镀层不平整,以及孔内金属层与非金属层无法同步金属化等缺点与不足,本发明提供一种PCB铝基板孔内金属层与非金属层同步金属化的方法。

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