[发明专利]波导结构复合衬底的制备方法、复合衬底及光电晶体薄膜

权利要求书

1.一种波导结构复合衬底的制备方法，其特征在于，包括：

在衬底层上制备波导层前体；

在所述波导层前体上制备移除层前体；

在所述移除层前体上进行刻蚀，形成移除层；

在所述波导层前体上进行刻蚀，形成波导层，所述波导层的顶部图案和所述移除层的图案相同，其中刻蚀后在所述波导层中形成凹槽结构，所述凹槽结构的高度等于所述波导层厚度；

在所述衬底层上所述移除层所在的一侧沉积包覆隔离层材料；

去除所述移除层；

继续沉积所述包覆隔离层材料，并对其平坦化至目标厚度，得到包覆隔离层，获得波导结构复合衬底；

其中，在所述衬底层上所述移除层所在的一侧沉积包覆隔离层材料包括：

在所述凹槽结构内填充所述包覆隔离层材料，所述包覆隔离层材料将所述凹槽结构填充；

当所述凹槽结构内填充的包覆隔离层材料的边缘高度高于所述波导层且不高于所述移除层时，停止填充；

其中，所述移除层顶部覆盖有与所述凹槽结构内包覆隔离层材料厚度相同的包覆隔离层材料。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述移除层的材质为光刻胶。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，去除所述移除层，包括：

采用丙酮腐蚀去除所述移除层，其中，所述移除层顶部覆盖的所述包覆隔离材料随移除层的去除而脱离所述波导层。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，继续沉积所述包覆隔离层材料，并对其平坦化至目标厚度，得到包覆隔离层，获得波导结构复合衬底，包括：

在去除所述移除层之后的所述波导层顶部继续沉积包覆隔离层材料，并将所述波导层包覆；

对继续沉积后的所述包覆隔离层材料进行研磨抛光至目标厚度，形成包覆隔离层，研磨抛光后的所述包覆隔离层的粗糙度小于0.5nm，表面平坦度小于0.8nm。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述波导层的材质为氮化硅、二氧化硅或者硅；所述包覆隔离层的材质为二氧化硅、氮化硅、氧化铝或氮化铝；所述波导层与所述包覆隔离层的材质不相同。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述衬底层上制备波导层前体的方法为PECVD、热氧化、溅射、蒸发或者电镀。

7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述波导层前体上进行刻蚀，形成波导层，包括：

采用干法刻蚀法或湿法刻蚀法在所述波导层前体上进行刻蚀，将所述波导层前体刻蚀成脊型条状结构，形成波导层。

8.一种复合衬底，其特征在于，所述复合衬底采用权利要求1-7任一项制备方法制备而成。

9.一种光电晶体薄膜，其特征在于，所述光电晶体薄膜采用权利要求8所述的复合衬底。