[发明专利]一种开关谐振器、滤波器及开关谐振器的制作方法

说明书

本发明提供一种开关谐振器、滤波器及开关谐振器的制作方法，开关谐振器包括衬底、上电极层、下电极层、氮化镓层、氮化镓铝层、第一电极和第二电极；衬底包括通孔区；下电极层设置于衬底的一侧；氮化镓层设置于衬底远离下电极层的一侧，下电极层和氮化镓层在通孔区相接触；氮化镓铝层设置于氮化镓层远离衬底的一侧；上电极层和第一电极位于氮化镓铝层远离衬底的表面，且第一电极与上电极层不接触；第二电极位于氮化镓层的远离第一电极的侧面。本发明将开关集成在滤波器上，无需增加外加开关就可以实现开关谐振器的开和关，可以有效的节约空间与成本。

技术领域

本发明涉及通信器件技术领域，尤其涉及一种开关谐振器、滤波器及开关谐振器的制作方法。

背景技术

随着5G时代的到来，科研人员对电子器件集成要求越来越高，并且到了5G时代，手机市场需要支持的频带数目不断上升，需要用到的滤波器数量也在不断上升，因此对器件的要求更小型、低成本。

传统的滤波器为了实现频率的选择，往往在滤波器中加入一个单刀双掷开关，这样不仅增加的器件的尺寸，也会增加滤波器的损耗。

发明内容

本发明实施例提供的开关谐振器无需增加外加开关就可以实现开关谐振器的开和关，从而减少了开关谐振器的体积，降低了功耗。

第一方面，本发明提供一种开关谐振器，包括衬底、上电极层、下电极层、氮化镓层、氮化镓铝层、第一电极和第二电极；

所述衬底包括通孔区；

所述下电极层设置于所述衬底的一侧；

所述氮化镓层设置于所述衬底远离所述下电极层的一侧，所述下电极层和所述氮化镓层在所述通孔区相接触；

所述氮化镓铝层设置于所述氮化镓层远离所述衬底的一侧；

所述上电极层和所述第一电极位于所述氮化镓铝层远离所述衬底的表面，且所述第一电极与所述上电极层不接触；

所述第二电极位于所述氮化镓层的远离所述第一电极的侧面。

可选的，所述衬底的材料包括硅、氮化镓或蓝宝石。

可选的，所述氮化镓铝层的厚度为3～5纳米。

可选的，所述氮化镓层的厚度为200纳米～3微米。

第二方面，本发明还提供一种滤波器，至少包括上述任一项所述的开关谐振器。

可选的，至少两个所述开关谐振器通过串联、并联或者串并联的方式连接。

可选的，所有所述开关谐振器的所述第一电极电连接，所有所述开关谐振器的所述第二电极电连接。

第三方面，本发明实施例还提供一种开关谐振器的制作方法，包括：

提供一衬底，在所述衬底一侧生长氮化镓层；

在所述氮化镓层远离所述衬底一侧生长氮化镓铝层；

刻蚀所述衬底远离所述氮化镓层的一侧形成通孔区；

在所述衬底远离所述氮化镓层一侧设置下电极层，所述下电极层和所述氮化镓层在所述通孔区相接触；

在所述氮化镓铝层远离衬底表面设置上电极层和第一电极；所述第一电极与所述上电极层不接触与所述上电极层不接触；

将第二电极设置于所述氮化镓层的远离所述第一电极的侧面。

可选的，所述氮化镓铝层的厚度为3～5纳米。

可选的，所述氮化镓层的厚度为200纳米～3微米。