[发明专利]一种核壳结构的银@PVP纳米线薄膜电极及其制备方法有效
申请号: | 202011290392.1 | 申请日: | 2020-11-18 |
公开(公告)号: | CN112397218B | 公开(公告)日: | 2022-03-08 |
发明(设计)人: | 陈善勇;薛莹雪 | 申请(专利权)人: | 重庆文理学院 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L51/50;H01B3/44;H01B1/02;H01B7/02;H01B13/00;B82Y30/00;B82Y40/00 |
代理公司: | 重庆晶智汇知识产权代理事务所(普通合伙) 50229 | 代理人: | 李靖 |
地址: | 40216*** | 国省代码: | 重庆;50 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 结构 pvp 纳米 薄膜 电极 及其 制备 方法 | ||
1.一种核壳结构的银@PVP纳米线薄膜电极的制备方法,其特征在于:所述薄膜电极中核壳结构的银@PVP纳米线是由银纳米线为核,PVP为壳,核壳结构纳米线交叉点被焊接,由PVP在交叉点外围形成完整包覆,具体是先制备出银纳米线分散液,再与PVP乙醇溶液混合,离心后的固体分散于乙醇中形成质量分数为0.05 ~ 1%的银@PVP纳米线分散液,然后滴到玻璃基板上制备成薄膜电极,在薄膜两端施加1 ~ 100V的电压270 ~ 800s。
2.如权利要求1所述的一种核壳结构的银@PVP纳米线薄膜电极的制备方法,其特征在于:所述薄膜电极中银纳米线的直径在35 ~ 45nm,长度为48 ~ 60μm,PVP包覆在银纳米线表面,厚度为1 ~10nm。
3.如权利要求1或2所述的一种核壳结构的银@PVP纳米线薄膜电极的制备方法,其特征在于:所述制备银纳米线分散液具体是采用AgNO3、NaCl和分子量为1300000的PVP分别溶解到乙二醇中配制成溶液,在剧烈搅拌下将三种溶液混合形成混合液,在110 ~ 200℃下反应1 ~ 30h,反应结束后,在混合液中加入乙醇稀释,然后离心、分离得灰黑色固体,将灰黑色固体分散到乙醇中形成质量分数为0.01 ~ 2%银纳米线分散液。
4.如权利要求3所述的一种核壳结构的银@PVP纳米线薄膜电极的制备方法,其特征在于:所述AgNO3、NaCl、PVP和乙二醇的质量体积比为:0.3 ~ 1g:0.3 ~ 0. 5g:1 ~ 4.6g:40~ 120mL,配制的AgNO3、NaCl和PVP三种乙二醇溶液中乙二醇的体积比为5:1:4。
5.如权利要求1、2和4任一项所述的一种核壳结构的银@PVP纳米线薄膜电极的制备方法,其特征在于:所述银@PVP纳米线分散液是取PVP溶解在乙醇中形成质量分数为0.01 ~1%的PVP乙醇溶液,加入银纳米线分散液,搅拌,随后进行离心得灰黑色固体,将灰黑色固体重新分散在乙醇中形成质量分数为0.05 ~ 1%的核壳结构的银@PVP纳米线分散液。
6.如权利要求3所述的一种核壳结构的银@PVP纳米线薄膜电极的制备方法,其特征在于:所述银@PVP纳米线分散液是取PVP溶解在乙醇中形成质量分数为0.01 ~ 1%的PVP乙醇溶液,加入银纳米线分散液,搅拌,随后进行离心得灰黑色固体,将灰黑色固体重新分散在乙醇中形成质量分数为0.05 ~ 1%的核壳结构的银@PVP纳米线分散液。
7.如权利要求5或6所述的一种核壳结构的银@PVP纳米线薄膜电极的制备方法,其特征在于:所述PVP乙醇溶液和银纳米线分散液的体积比为0.1 ~ 10:1。
8.一种核壳结构的银@PVP纳米线薄膜电极的制备方法,其特征在于,按如下步骤进行:
(1)、制备银纳米线分散液
①AgNO3 、NaCl和分子量为13000的PVP分别溶解到乙二醇中形成溶液,在500rpm剧烈搅拌下将三种溶液混合形成混合液,在110 ~ 200℃下反应1 ~ 30h,AgNO3、NaCl、PVP和乙二醇的质量体积比为0.3 ~ 1g:0.3 ~ 0. 5g:1 ~ 4.6g:40 ~ 120mL,AgNO3、NaCl、PVP三种乙二醇溶液中乙二醇的体积比为5:1:4;
②反应结束后,在混合液中加入乙醇稀释,然后离心、分离得灰黑色固体,将灰黑色固体分散到乙醇中形成质量分数为0.01 ~ 2%的银纳米线分散液;
(2)、制备核壳结构的银@PVP纳米线分散液
取PVP溶解在乙醇中,形成质量分数为0.01 ~ 1%的PVP乙醇溶液,然后加入银纳米线分散液,PVP乙醇溶液和银纳米线分散液的体积比为0.1 ~ 10:1,在400 ~ 2000rpm下搅拌30~120min,随后进行离心得灰黑色固体,将灰黑色固体重新分散在乙醇中形成质量分数为0.05 ~ 1%的核壳结构的银@PVP纳米线分散液;
(3)、制备透明电极
取核壳结构的银@PVP纳米线分散液滴到玻璃基板上,辊涂形成薄膜,室温放置2 ~3min,在薄膜两端施加1 ~ 100V电压270 ~ 800s。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于重庆文理学院,未经重庆文理学院许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202011290392.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的