[发明专利]一种高储能密度的铌酸钡铅钾基玻璃陶瓷材料及其制备方法与应用有效
申请号: | 202011292051.8 | 申请日: | 2020-11-18 |
公开(公告)号: | CN112340996B | 公开(公告)日: | 2022-02-18 |
发明(设计)人: | 沈波;刘昌帅;翟继卫 | 申请(专利权)人: | 同济大学 |
主分类号: | C03C10/02 | 分类号: | C03C10/02;C03B19/02;C03B32/02;H01G4/12 |
代理公司: | 上海科盛知识产权代理有限公司 31225 | 代理人: | 顾艳哲 |
地址: | 200092 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 高储能 密度 铌酸钡铅钾基 玻璃 陶瓷材料 及其 制备 方法 应用 | ||
1.一种高储能密度的铌酸钡铅钾基玻璃陶瓷材料,其特征在于,该材料的化学通式为(26.5-x)BaO-7.5K2O-30Nb2O5-6Al2O3-30SiO2-xPbO,其中0.2≤x≤0.6。
2.根据权利要求1所述的一种高储能密度的铌酸钡铅钾基玻璃陶瓷材料,其特征在于,x=0.2,0.4或0.6。
3.如权利要求1或2所述的一种高储能密度的铌酸钡铅钾基玻璃陶瓷材料的制备方法,其特征在于,该方法包括以下步骤:
1)以BaO、K2O、Nb2O5、Al2O3、SiO2和PbO为原料,依照(26.5-x)BaO-7.5K2O-30Nb2O5-6Al2O3-30SiO2-xPbO中的摩尔比进行配料并混合均匀,再经过高温熔化后,得到高温熔浆;
2)将步骤1)制备的高温熔浆浇入预热模具中成型,并保持该预热温度退火以去除残余应力,切片后得到玻璃薄片;
3)将步骤2)制备的玻璃薄片转移至析晶炉中进行析晶,即制备得到铌酸钡铅钾基玻璃陶瓷材料。
4.根据权利要求3所述的一种高储能密度的铌酸钡铅钾基玻璃陶瓷材料的制备方法,其特征在于,步骤1)中,所述的高温熔化过程中,熔化温度为1450-1550℃,熔化时间为1-2h。
5.根据权利要求4所述的一种高储能密度的铌酸钡铅钾基玻璃陶瓷材料的制备方法,其特征在于,所述的熔化温度为1550℃,熔化时间为2h。
6.根据权利要求3所述的一种高储能密度的铌酸钡铅钾基玻璃陶瓷材料的制备方法,其特征在于,步骤2)具体为:将高温熔浆浇入至600-650℃的预热铜模具中成型,并保持该温度5-6h以去除材料内的残余应力,得到成分均一的无定型玻璃,之后再进行等厚度切割,即得到玻璃薄片。
7.根据权利要求6所述的一种高储能密度的铌酸钡铅钾基玻璃陶瓷材料的制备方法,其特征在于,预热温度为650℃,退火时间为6h。
8.根据权利要求3所述的一种高储能密度的铌酸钡铅钾基玻璃陶瓷材料的制备方法,其特征在于,步骤3)中,析晶过程中,升温速率为2-5℃/min,析晶温度为700-1000℃,析晶时间为4-8h。
9.根据权利要求8所述的一种高储能密度的铌酸钡铅钾基玻璃陶瓷材料的制备方法,其特征在于,所述的升温速率为4℃/min,析晶温度为850℃,析晶时间为5h。
10.如权利要求1或2所述的一种高储能密度的铌酸钡铅钾基玻璃陶瓷材料在储能电容器材料中的应用。
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