[发明专利]一种高压功率芯片的深结复合终端结构及其制备方法

权利要求书

1.一种高压功率芯片的深结复合终端结构，其特征在于，所述复合终端结构包括:横向变掺杂区域、结终端延伸区域和SIPOS结构；

所述横向变掺杂区域为在多个不同渐变掺杂区窗口的遮掩下注入铝离子，再经高温扩散形成的区域；

所述结终端延伸区域设置在所述横向变掺杂区域的末端，并与所述横向变掺杂区域呈部分交叠设置，所述结终端延伸区域为棚离子在高温下扩散形成的区域；

所述SIPOS结构设置在所述横向变掺杂区域和结终端延伸区域的上部。

2.根据权利要求1所述的高压功率芯片的深结复合终端结构，其特征在于，多个不同渐变掺杂区窗口分别为80μm渐变掺杂区窗口、70μm渐变掺杂区窗口、60μm渐变掺杂区窗口、50μm渐变掺杂区窗口、40μm渐变掺杂区窗口、30μm渐变掺杂区窗口和10μm渐变掺杂区窗口。

3.根据权利要求1所述的高压功率芯片的深结复合终端结构，其特征在于，所述渐变掺杂区窗口的长度与遮掩的长度的和为85μm。

4.根据权利要求1所述的高压功率芯片的深结复合终端结构，其特征在于，所述横向变掺杂区域的结深最大深度为127μm，所述横向变掺杂区域的长度为720μm。

5.根据权利要求1所述的高压功率芯片的深结复合终端结构，其特征在于，所述结终端延伸区域的结深为13μm，所述横向变掺杂区域的长度为280μm，所述横向变掺杂区域与所述结终端延伸区域交叠的部分的长度为140μm。

6.根据权利要求1所述的高压功率芯片的深结复合终端结构，其特征在于，所述SIPOS结构的厚度为3μm，介电常数为9，电阻率为1e10Ω·m。

7.根据权利要求1所述的高压功率芯片的深结复合终端结构，其特征在于，所述复合终端结构包括截止环，所述截止环设置在终端结构的终端区域的最边缘处。

8.一种高压功率芯片的深结复合终端结构的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括如下步骤：

在终端结构的终端区域选取铝离子注入位置和棚离子注入位置；

在所述铝离子注入位置，在多个不同渐变掺杂区窗口的遮掩下注入铝离子，并高温退火第一预设时间，形成横向变掺杂区域；

在所述棚离子注入位置注入棚离子，并高温退火第二预设时间，形成结终端延伸区域；

在所述横向变掺杂区域和所述结终端延伸区域的上表面，采用气相沉淀的方式制备SIPOS结构。

9.根据权利要求8所述的高压功率芯片的深结复合终端结构，其特征在于，所述第一预设时间为3000min，所述第二预设时间为240min。

10.根据权利要求8所述的高压功率芯片的深结复合终端结构，其特征在于，所述铝离子浓度为5.0e14cm^-2，所述棚离子的浓度为1e11cm^-2。