[发明专利]半导体材料的制备方法、钙钛矿半导体器件及其制备方法

权利要求书

1.半导体材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)沉积羧酸盐溶液；或者先沉积有机胺盐或脒盐溶液，再沉积羧酸盐溶液；所述羧酸盐溶液选自羧酸铅溶液、羧酸锡溶液中的至少一种；

(2)沉积有机胺盐或脒盐溶液；

(3)在50℃～160℃进行退火。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述有机胺盐或脒盐溶液中的有机胺盐或脒盐的分子式为AX，A为甲胺、乙胺、丙胺、丁胺、苯乙胺、乙二胺、丙二胺、丁二胺、戊二胺、甲脒、乙脒、氯乙脒、三氟乙脒中一种或任意两种的组合或三种的组合；B为铅、锡；X可为碘、溴、氯中一种或任意两种的组合或三种的组合。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述羧酸盐溶液中的溶剂选自乙酸、丙酸、丁酸、戊酸、异丙醇、丙醇、叔丁醇、正丁醇、戊醇、叔戊醇、乙酸乙酯、甲酸乙酯、乙酸甲酯、丙酸丙酯中的至少一种。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述有机胺盐或脒盐溶液中的溶剂选自甲醇、乙醇、丙醇、异丙醇、叔丁醇、环丙烷、乙酸乙酯中的至少一种。

5.根据权利要求1至4任一项所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)和(2)中所述沉积的方式为旋涂法、刮涂法、狭缝涂布法、印刷、滴涂、喷涂、卷对卷涂覆法中的至少一种。

6.钙钛矿半导体器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

依次制备层叠设置的基底、透明导电电极、电子传输层、钙钛矿层和碳电极；

在所述碳电极上依次沉积羧酸盐溶液和有机胺盐或脒盐溶液，或者在所述碳电极上依次沉积有机胺盐或脒盐溶液、羧酸盐溶液、和沉积有机胺盐或脒盐溶液，其中，所述羧酸盐溶液选自羧酸铅溶液、羧酸锡溶液中的至少一种；

在50℃～160℃进行退火。

7.根据权利要求6所述的钙钛矿半导体器件的制备方法，其特征在于，所述有机胺盐或脒盐溶液中的有机胺盐或脒盐的分子式为AX，A为甲胺、乙胺、丙胺、丁胺、苯乙胺、乙二胺、丙二胺、丁二胺、戊二胺、甲脒、乙脒、氯乙脒、三氟乙脒中一种或任意两种的组合或三种的组合；B为铅、锡；X可为碘、溴、氯中一种或任意两种的组合或三种的组合。

8.根据权利要求6所述的钙钛矿半导体器件的制备方法，其特征在于，所述碳电极由包括碳材料、粘结剂、分散剂和溶剂的物料混合制成，优选所述碳材料包括石墨、炭黑、碳纳米管中的至少一种。

9.钙钛矿半导体器件，其特征在于，根据权利要求6至8任一项所述的钙钛矿半导体器件的制备方法制得。

10.权利要求9所述的钙钛矿半导体器件在太阳能电池发电、探测可见光信号中的应用。